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      標簽　>　開關(guān)損耗

      開關(guān)損耗

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      文章：52個 瀏覽：13478次 帖子：12個

      開關(guān)損耗技術(shù)

      影響MOSFET開關(guān)損耗的因素

      MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的開關(guān)...

      2024-09-14 標簽：MOSFET半導(dǎo)體開關(guān)損耗 577 0

      一文讀懂MOSFET開關(guān)損耗介紹

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      2024-06-13 標簽：MOSFET晶體管開關(guān)損耗 1141 0

      如何使用示波器測量電源開關(guān)損耗

      電源開關(guān)損耗是電子電路中一個重要的性能指標，它反映了開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。準確測量電源開關(guān)損耗對于優(yōu)化電路設(shè)計、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...

      2024-05-27 標簽：示波器電源開關(guān)開關(guān)損耗 953 0

      使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對開關(guān)損耗影響的評估

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      過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件...

      2023-12-29 標簽：安森美SiC熱仿真 1641 0

      mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

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      Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時間，MOS管24V時帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...

      2023-12-11 標簽：電路設(shè)計限流電阻開關(guān)損耗 793 0

      功率MOSFET管應(yīng)用問題匯總

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      問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時間計算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散...

      2023-12-03 標簽：負載開關(guān)功率MOSFET管MOSFET管 920 0

      如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

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      MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成；開關(guān)...

      2023-11-15 標簽：MOSFET變換器寄生電容 486 0

      MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

      MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

      由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強。

      2023-08-25 標簽：二極管MOSFETIGBT 906 0

      詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗

      詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗

      要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

      2023-08-21 標簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 2927 0

      MOS管的開關(guān)損耗計算

      MOS管的開關(guān)損耗計算

      MOS 管的開關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。

      2023-07-23 標簽：MOSFETMOS管功率損耗 3696 0

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      開關(guān)損耗資料下載

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      開關(guān)損耗資訊

      差分探頭在測量開關(guān)損耗中的應(yīng)用

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      開關(guān)損耗是電力電子設(shè)備中的一個重要性能指標，它直接影響到設(shè)備的效率和熱管理。差分探頭作為一種高精度的測量工具，在開關(guān)損耗的測量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將介...

      2024-08-09 標簽：差分探頭開關(guān)損耗 261 0

      SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

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      碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

      2023-05-04 標簽：MOSFETSiC開關(guān)損耗 597 0

      利用示波器探頭進行開關(guān)損耗測試

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      如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時在On或Of...

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      2022-04-21 標簽：電子設(shè)備半導(dǎo)體器件開關(guān)損耗 3401 0

      開關(guān)損耗測量中的注意事項及影響因素解析

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      功率損耗是開關(guān)器件性能評估的重要環(huán)節(jié)，也是工程師在選配時重點關(guān)注的一項高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環(huán)境，對設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程...

      2021-12-15 標簽：示波器探頭開關(guān)損耗 652 0

      怎樣準確測量開關(guān)損耗

      一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。...

      2019-06-26 標簽：開關(guān)損耗 872 0

      175W Slim-TV SPS解決方案（安富利）

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      Avnet Design Service電源實驗室開發(fā)出薄板電視SPS電源解決方案。滿負荷工作條件下，電源模塊輸出總功率達175 W。解決方案提供多種組...

      2012-08-01 標簽：電源安富利電源模塊 1883 0

      理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

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      為了使MOSFET整個開關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實現(xiàn)其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或...

      2012-04-12 標簽：MOSFET開關(guān)損耗 6.2萬 1

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      開關(guān)損耗數(shù)據(jù)手冊

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