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標簽 > 快速恢復二極管
快速恢復二極管也常用普通二極管的圖形符號來表示,用文字說明或在型號上予以區別。快速恢復二極管與普通二極管相似,但制造工藝與普通一極管有所不同。
快速恢復二極管也常用普通二極管的圖形符號來表示,用文字說明或在型號上予以區別。快速恢復二極管與普通二極管相似,但制造工藝與普通一極管有所不同。在靠近PN結處的摻雜濃度很低,以此獲得較高的開關速度和較低的正向壓降。它的反向恢復時間為200~750 ns,高速的可達10 ns。與肖特基二極管相比,其耐壓值要高得多。它主要用作高速整流元件,在開關電源和逆變電源中作整流一極管,以降低關斷損耗,提高效率和減小噪聲。
SiC產品和Si產品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征
我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結構開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢壘,將半導體SiC與金屬相接合(肖特基結)。結構與Si肖特...
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