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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類(lèi):雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱(chēng)共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱(chēng)共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱(chēng)共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類(lèi):雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱(chēng)共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱(chēng)共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱(chēng)共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
表調(diào)到1K擋,黑表筆接任意一腳,不動(dòng),紅表筆測(cè)另外兩腳,當(dāng)測(cè)得另外兩腳阻值在10K左右時(shí),這時(shí),黑表筆接的是b 級(jí),再用10K擋測(cè)另外兩腳,正反測(cè)一下,...
場(chǎng)效應(yīng)管放大電路圖大全(五款場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路原理圖詳解)
本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管放大電路圖大全(五款場(chǎng)效應(yīng)管放大電路原理圖詳解)。該電路中,電池作為直流電源通過(guò)負(fù)載電阻器R1為場(chǎng)效應(yīng)管漏極提供偏置電壓,使其工作...
2018-03-08 標(biāo)簽:放大電路場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 15.7萬(wàn) 0
最簡(jiǎn)單閃光燈電路圖大全(晶體管/電容器/照相機(jī)閃光燈)
本文主要介紹了最簡(jiǎn)單閃光燈電路圖大全(晶體管/電容器/照相機(jī)閃光燈)。電子頻閃燈是由晶體管組成的互補(bǔ)多諧振蕩器,通電后產(chǎn)生自激振蕩,驅(qū)動(dòng)小電珠HL不斷閃...
一文讀懂場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)、結(jié)構(gòu)以及原理
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管,是較新型的半導(dǎo)體材料,利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管的電流,因而得名。
2017-03-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶體管FET 13.0萬(wàn) 0
令人驚訝的是,首個(gè)可運(yùn)行晶體管于 1947 年 12 月 23 日面世,距今已有 70 年! 1 晶體管或許是人們發(fā)明的最具革命性的元器件之一。它的出現(xiàn)...
本文首先介紹了IGBT概念及結(jié)構(gòu),其次介紹了IGBT工作原理及代換,最后介紹了它的應(yīng)用領(lǐng)域。
電子負(fù)載四種功能實(shí)現(xiàn)的原理介紹
電子負(fù)載,英文名稱(chēng)為electronic load,是一種通過(guò)控制內(nèi)部功率或晶體管的導(dǎo)通量來(lái)達(dá)到準(zhǔn)確檢測(cè)負(fù)載電壓、精確調(diào)整負(fù)載電流功能的電子元器件。電子...
本文首先闡述了N溝MOS晶體管的概念,其次介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及特性曲線,最后介紹了N溝道增強(qiáng)型MOS管的工作原理。
本文首先介紹了IGBT的作用及選型四個(gè)基本要求,其次介紹了IGBT選型方法及影響IGBT可靠性因素,最后介紹了IGBT使用注意事項(xiàng)及保管方法。
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入門(mén)經(jīng)典:晶體管電路設(shè)計(jì)上下冊(cè)讓你感性認(rèn)識(shí)晶體管
標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管 81938 1404
6E2電子管電平驅(qū)動(dòng)板的介紹和原理圖資料免費(fèi)下載立即下載
類(lèi)別:IC中文資料 2018-10-11 標(biāo)簽:晶體管驅(qū)動(dòng)板電子管
類(lèi)別:檢測(cè)器電路圖 2018-01-29 標(biāo)簽:測(cè)試器晶體管
半導(dǎo)體物理與器件基本原理第四版PDF電子書(shū)免費(fèi)下載立即下載
類(lèi)別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2020-07-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體JFET晶體管
類(lèi)別:檢測(cè)器電路圖 2011-07-09 標(biāo)簽:測(cè)試儀晶體管晶體管測(cè)試儀
工程師電子制作故事:電子鬼才,僅用導(dǎo)線和晶體管DIY電腦
真的猛士,敢于DIY自己的生活;真的猛士,敢于DIY自己的電子產(chǎn)品;真的猛士,敢于只用導(dǎo)線和晶體管DIY自己的電腦。
電子管,是一種最早期的電信號(hào)放大器件。被封閉在玻璃容器(一般為玻璃管)中的陰極電子發(fā)射部分、控制柵極、加速柵極、陽(yáng)極(屏極)引線被焊在管基上。利用電場(chǎng)對(duì)...
mos管飽和區(qū)電流公式及MOS的其他三個(gè)區(qū)域解析
轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3( a)中作Ubs=6V的垂直線,將其與各條曲線的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐...
晶體管發(fā)明與誕生及發(fā)展過(guò)程詳細(xì)
第二次世界大戰(zhàn)剛剛結(jié)束兩年,晶體管就被成功地研制出來(lái)了。因?yàn)榘雽?dǎo)體科技的發(fā)展是材料、物理和器件這三者相互促進(jìn)、相輔相成的結(jié)果:為了制作性能好的器件,需要...
差動(dòng)放大電路也稱(chēng)差分放大電路,是一種對(duì)零點(diǎn)漂移具有很強(qiáng)抑制能力的基本放大電路。差動(dòng)放大原理電路如圖Z0501所示。它由兩個(gè)對(duì)稱(chēng)的共射極基本放大電路組成:...
在此圖中,它同時(shí)使用了收集器作為反饋和發(fā)射極反饋以獲得更高的穩(wěn)定性。由于發(fā)射極電流Ie的流動(dòng),發(fā)射極電阻Re兩端會(huì)出現(xiàn)電壓降,因此發(fā)射極基極結(jié)將為正向偏...
2019-12-06 標(biāo)簽:晶體管 8.2萬(wàn) 0
沒(méi)有它們,世界各地的汽車(chē)廠就停止了。現(xiàn)在,制造它們的技術(shù)被美國(guó)視為與中國(guó)貿(mào)易摩擦的關(guān)鍵武器。
芯片是一種集成電路,由大量的晶體管構(gòu)成。不同的芯片有不同的集成規(guī)模,大到幾億;小到幾十、幾百個(gè)晶體管。如今,芯片已經(jīng)成為我們不可或缺的物件。 芯片的本質(zhì)...
在介紹輸出信號(hào)Y時(shí),我們先來(lái)說(shuō)下三菱FX系列的輸出類(lèi)型,在輸出規(guī)格中常見(jiàn)的兩種輸出有繼電器類(lèi)型和晶體管類(lèi)型,可以在PLC側(cè)邊分辨。
麒麟9000s相當(dāng)于驍龍多少?? 麒麟9000s是華為公司在2021年發(fā)布的最新旗艦處理器,它采用了5nm制程工藝,內(nèi)置1億個(gè)晶體管,集成了8個(gè)ARM ...
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