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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱(chēng)為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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太陽(yáng)能電池需要硅晶片來(lái)提高效率并吸收更多的陽(yáng)光。經(jīng)常使用非晶硅、單晶硅和碲化鎘等材料。Floating Zone 方法等制造工藝可將太陽(yáng)能電池效率提高近...
2023-06-12 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶圓硅晶圓 4097 0
?IBM全球首款2nm芯片制程 IBM 2納米芯片制造技術(shù)要點(diǎn)
IBM Research在其紐約奧爾巴尼技術(shù)中心宣布其突破性的2nm技術(shù)的消息。 據(jù)IBM官方表示,核心指標(biāo)方面,IBM稱(chēng)該2nm芯片的晶體管密度(MT...
半導(dǎo)體制造的工藝過(guò)程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測(cè)試(wafer Probe/Sorting)、芯片封裝(Assemble)...
技術(shù)前沿:凸塊制造技術(shù)——顯示驅(qū)動(dòng)芯片封測(cè)核心量產(chǎn)工藝
顯示驅(qū)動(dòng)芯片是顯示面板成像系統(tǒng)的重要組成部分之一,目前常見(jiàn)的顯示驅(qū)動(dòng)芯片包括LCD驅(qū)動(dòng)芯片和OLED驅(qū)動(dòng)芯片。LCD驅(qū)動(dòng)芯片通過(guò)接收控制芯片輸出的指令,...
2023-06-19 標(biāo)簽:晶圓驅(qū)動(dòng)芯片封測(cè) 4016 0
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制,防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問(wèn)題,因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
基于STM32U5片內(nèi)溫度傳感器正確測(cè)算溫度實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)分享
STM32 在內(nèi)部都集成了一個(gè)溫度傳感器,STM32U5 也不例外。這個(gè)位于晶圓上的溫度傳感器雖然不太適合用來(lái)測(cè)量外部環(huán)境的溫度,但是用于監(jiān)控晶圓上的溫...
當(dāng)前工業(yè)機(jī)器人的關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用
我國(guó)工業(yè)機(jī)器人的市場(chǎng)主要集中在汽車(chē)、汽車(chē)零部件、摩托車(chē)、電器、工程機(jī)械、石油化工等行業(yè)。中國(guó)作為亞洲第三大的工業(yè)機(jī)器人需求國(guó),市場(chǎng)發(fā)展穩(wěn)定,汽車(chē)及其零部...
2022-03-15 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)晶圓工業(yè)機(jī)器人 3981 0
碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料,憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能,不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換...
摩爾定律的不斷向前發(fā)展,正在推動(dòng)著半導(dǎo)體工業(yè)向三維(3D)集成的方向發(fā)展,同時(shí)也在推動(dòng)著諸如堆棧存儲(chǔ)與邏輯、以及硅穿孔(TSV)互連等先進(jìn)封裝架構(gòu)技術(shù)的發(fā)展。
硅上的氮化鎵LED在敏感型住宅市場(chǎng)的發(fā)展
本文將概述GaN在硅的開(kāi)發(fā)方面的最新技術(shù),以及通過(guò)利用大批量,大尺寸,晶圓尺寸的半導(dǎo)體加工技術(shù),它可以降低生產(chǎn)成本。在英國(guó),Plessey Semico...
雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜,功耗較大,代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類(lèi)型。單極型集成電路的制作工藝簡(jiǎn)單,功耗也較低,易...
2019-10-12 標(biāo)簽:集成電路晶圓線(xiàn)性電路 3921 0
傳統(tǒng)上,IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線(xiàn)以鍵合的方式把芯片上的I/O連至封裝載體并經(jīng)封裝引腳來(lái)實(shí)現(xiàn)。隨著IC芯片特征尺寸的縮小和集成規(guī)模的擴(kuò)大,I/...
Mirra Mesa工藝與Applied的Endura屏障/種子和Electra機(jī)電電鍍系統(tǒng)集成,作為捆綁的一部分 - Applied正在追求的模塊策略...
2019-08-13 標(biāo)簽:晶圓PCB打樣華強(qiáng)PCB 3878 0
這是一種晶圓鍵合方法,其中兩個(gè)表面之間的粘附是由于兩個(gè)表面的分子之間建立的化學(xué)鍵而發(fā)生的。
采用LED照明降低工業(yè)環(huán)境的應(yīng)用成本
東芝美國(guó)電子元件的最新白光LED之一Inc.(TAEC)使各類(lèi)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員能夠更輕松地過(guò)渡到LED技術(shù)。 TAEC已擴(kuò)展其LETERAS系列白光LED...
晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)的兩項(xiàng)關(guān)鍵工藝
晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging,縮寫(xiě)WLP)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù),因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢(shì),近年來(lái)發(fā)展迅...
等離子體圖形化刻蝕過(guò)程中,刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓,稱(chēng)為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
在今天的推文中,我們將繼續(xù)介紹最后三個(gè)步驟:互連、測(cè)試和封裝,以完成半導(dǎo)體芯片的制造。
2022-08-01 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 3796 0
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