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標簽 > 柵極驅動電路
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該電容器的用途是吸收柵電流(Cgd·dVDS/dt),以便降低柵極電阻器產生的柵極電壓,從而降低自開通電壓。
SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉換過程中能量損耗
人們普遍認為,SiCMOSFET可以實現(xiàn)非??斓拈_關速度,有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而,由于傳統(tǒng)功率半導體封裝的限制,在實際...
Vishay 60V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET 專用于標準柵極驅動電路
器件專門用于標準柵極驅動電路,柵極電荷低至22.5 nC,QOSS為34.2 nC,采用PowerPAK? 1212-8S封裝。
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天推出EiceDRIVER? 1EDC Compact 300 mil系列單通道柵...
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器,其可最大限度減少 MO...
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