氧化鎵器件介紹與仿真

本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導(dǎo)...

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 2384 0

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶圓蝕刻 629 0

Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達4.8 eV，理論擊穿場強為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料

2023-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體信號處理光譜儀 1212 0

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進入了加速階段。

2023-08-24 標(biāo)簽：處理器功率二極管導(dǎo)通電阻 829 0

氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點。

2023-08-17 標(biāo)簽：接觸器半導(dǎo)體芯片DFT算法 969 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場強等優(yōu)勢，是國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點。

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管MOSFET電阻器 805 0

氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率半導(dǎo)體 765 0

氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測器研究

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。

2023-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電探測器氧化鎵 894 0

基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測器的研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-07 標(biāo)簽：探測器晶體管光電探測器 900 0

氧化鎵材料生長與陣列探測器研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽：探測器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管 967 0

ACS AMI：通過襯底集成和器件封裝協(xié)同設(shè)計實現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

原創(chuàng)：Xoitec 異質(zhì)集成XOI技術(shù) 來源：上海微系統(tǒng)所，集成電路材料實驗室，異質(zhì)集成XOI課題組 1 工作簡介 超寬禁帶氧化鎵是實現(xiàn)超高壓、大功率、...

2024-11-13 標(biāo)簽：MOSFET封裝氧化鎵 247 0

異質(zhì)集成氧化鎵：下一代高性能功率半導(dǎo)體器件的新基石

來源:悅智網(wǎng) ，作者羅拯東、韓根全等 功率半導(dǎo)體器件作為高效電能控制和轉(zhuǎn)換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術(shù)的“幕后英雄”持續(xù)推動人類社會...

2024-10-21 標(biāo)簽：氧化鎵功率半導(dǎo)體器件異質(zhì)集成 230 0

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單...

2023-12-29 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 1255 0

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

近日，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組和斯洛伐克科學(xué)院Filip Gucmann課題組合作，在國際權(quán)威期刊《Small》上發(fā)表了題為“Phase-Dep...

2023-12-25 標(biāo)簽：太陽能電池二極管氧化鎵 1256 0

基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN，不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實現(xiàn)在高...

2023-11-15 標(biāo)簽：晶圓SiC射頻器件 1457 0