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標簽 > 氮化鋁基板
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氮化鋁具有較高的熱導性,比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環境中可以更有效地傳導熱量。
大功率LED熱傳導主要途徑是:PN結——外延層——封裝基板——外殼——空氣,所以封裝基板的選擇對LED散熱至關重要。
氮化鋁的導熱率較高,室溫時理論導熱率最高可達320W/(m·K),是氧化鋁陶瓷的8~10倍,實際生產的熱導率也可高達200W/(m·K),有利于LED中...
氮化鋁除了是新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料,還可用于熱交換器、坩堝、保護管、澆注模具、半導體靜電卡盤、壓電陶瓷及薄膜、導熱填料等。
在全球半導體科技日新月異的大背景下,日本旭化成株式會社在功率半導體等應用領域取得了令人矚目的技術突破。該公司近日宣布,其氮化鋁基板技術已實現了可使用面積...
近日,日本化工企業旭化成(Asahi Kasei)旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布,公司生產出了首款4英寸氮化鋁(AlN)襯底,展示了公...
氮化鋁基板具有低缺陷密度、高紫外線透明度和低雜質濃度、超寬帶差距及高熱傳導效率,對uvc led及電力配件等產業非常有魅力。根據目前uvc紫外線led的...
功率型LED封裝技術發展至今,可供選用的散熱基板主要有環氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復合基板、陶瓷覆銅基板等。
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