氮化鎵知識

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  分立器件在45W氮化鎵快充產品中的應用

  如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體新材料得到廣泛應用，它們具有更高的導熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移

  2024-09-12 標簽： 分立器件 氮化鎵 STC89C52單片機語音播報功能水溫控 190 0

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  英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術， 推動行業變革

  2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發出全

  2024-09-12 標簽： 英飛凌 氮化鎵 GaN 875 0

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  40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發售！

  誠芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣，涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級

  2024-09-10 標簽： iPhone 氮化鎵 快充 183 0

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  650V氮化鎵芯片U8722AH的工作原理

  針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加

  2024-09-06 標簽： 芯片 氮化鎵 GaN 246 0

• 氮化鎵和砷化鎵哪個先進

  氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領域的重要成員，它們在各自的應用領域中都展現出了卓越的性能。然而，要判

  2024-09-02 標簽： 半導體材料 氮化鎵 砷化鎵 440 0

• 氮化鎵和碳化硅哪個有優勢

  氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當前半導體材料領域的佼佼者，它們各自具有獨特的優勢，應用領域也有所不同。以下是對兩

  2024-09-02 標簽： 半導體材料 氮化鎵 碳化硅 407 0

• 碳化硅與氮化鎵哪種材料更好

  引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿

  2024-09-02 標簽： 電子器件 半導體材料 氮化鎵 330 0

• 買家現身！這家氮化鎵晶圓代工廠收到10億元競標

  來源：集邦化合物半導體 7月底，總部位于比利時奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）

  2024-08-29 標簽： 晶圓代工廠 氮化鎵 229 0

• 氮化鎵(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領技術革新與產業升級

  自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導體市場持續升溫，成為半導體行業的焦點。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業界巨頭紛紛通過并購G

  2024-08-26 標簽： 氮化鎵 GaN 功率半導體 258 0

• 氮化鎵快充芯片U8722AH的主要特征

  目前市場已推出多種快充技術方案。其中PD方案的出現，助力推動了快充產品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化

  2024-08-15 標簽： 變壓器 氮化鎵 快充芯片 397 0

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