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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據光照進行發電，而無法根據需求而定。不過，隨著儲能技術的推進，微型逆變器和串式逆變...
相比傳統影視行業，手機攝影的發展史確實非常短，不可能跟專業攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業設備，呈現出極致的攝影效果。但手機跟相機相比最大的優勢，在于...
相信大家都清楚，輕載或空載狀態下，開關損耗在轉換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，近年來在電子領域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉換效率、開關速度及耐高溫等方面優勢...
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高...
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隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導體市場正迎來顯著增長，并在封裝領域發生巨大變革。封裝的復雜性逐漸增加，以適應各種高功率和高溫條件的應用。英飛...
2KW 48V雙向ACDC儲能模塊采用All GaN解決方案，包括前端AC-DC無橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉換器，可實現單雙向工作。...
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氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領域的重要成員，它們在各自的應用領域中都展現出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二...
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當前半導體材料領域的佼佼者，它們各自具有獨特的優勢，應用領域也有所不同。以下是對兩者優勢的比較： 氮化鎵（GaN）...
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿場強等優異的物理化學性質，被廣泛...
目前市場已推出多種快充技術方案。其中PD方案的出現，助力推動了快充產品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
晶體管的主要材料是半導體材料，這些材料在導電性能上介于導體和絕緣體之間，具有獨特的電子結構和性質，使得晶體管能夠實現對電流的有效控制。以下將詳細探討晶體...
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及...
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細，...
氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路
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