如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應和Trapping效應模型參數？

氮化鎵(GaN)技術在5G基站、衛星通信、國防系統和其他應用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。

2024-05-19 標簽：晶體管ASM氮化鎵 857 0

氮化鎵快充電源ic U8722DE優化系統輕載效率

氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路

2024-05-08 標簽：驅動電路氮化鎵電源IC 858 0

聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應用中所面臨的相關熱問題

熱設計是一個至關重要的課題，其中的各種規則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領域；

2024-04-24 標簽：集成電路PCB板QFN封裝 1151 0

氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發的優勢與挑戰

氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優勢也推動...

2024-04-22 標簽：集成電路IC氮化鎵 1936 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內在材料優勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉換性能優勢，因為其無反向恢復...

2024-04-18 標簽：氮化鎵GaNHEMT 1132 0

一、二、三代半導體的區別

在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半...

2024-04-18 標簽：半導體cpugpu 2848 0

一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關—U8722

氮化鎵充電器是一種新型的快充技術，在充電速度、安全性做到了突破。

2024-04-09 標簽：充電器氮化鎵驅動電流 661 0

led發光的顏色由什么決定 LED的發光原理

LED的發光過程主要包括載流子注入和復合兩個步驟。當外加電壓施加在LED的正向偏置端時，電流通過LED的正向偏置結并注入到半導體材料中。

2024-03-22 標簽：led半導體材料氮化鎵 2882 0

普通充電器 vs 氮化鎵充電器區別

當前流行的主流充電器和電源頭都是采用“開關型”的電源模式，其核心的輸出效率和負載能力（輸出電流大小，恒壓）瓶頸就在內部集成的開關管的頻率。

2024-03-18 標簽：充電器功率轉換氮化鎵 6590 0

四種將被氮化鎵革新電子設計的中壓應用

除了業界已經采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...

2024-03-15 標簽：逆變器電池電壓氮化鎵 4190 0

集成柵極驅動器的GaN ePower超快開關

氮化鎵場效應晶體管在許多電力電子應用中持續獲得關注，但氮化鎵技術仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質因數還有很大的提升空間，但GaN...

2024-03-05 標簽：氮化鎵GaN激光驅動器 2887 0

為何及如何將氮化鎵場效應晶體管用于高效、高電壓、開關模式電源應用

作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯 面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通...

2024-02-13 標簽：電源電子遷移氮化鎵 1463 0