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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強(qiáng)
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強(qiáng)。全球不斷增長的市場和客戶對先進(jìn)、高效、寬禁帶氮化鎵（GaN...
2024-11-22 標(biāo)簽：AI氮化鎵納微半導(dǎo)體 277 0
25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問題提升芯片的工作頻率，無疑能夠加快設(shè)備的處理速度，提升用戶體驗，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發(fā)熱...
現(xiàn)在的充電器與幾年前的充電器相比，體積上大幅縮減，而充電速度卻實現(xiàn)了十幾倍的飛躍式提升。這其中究竟隱藏著怎樣的奧秘呢?
業(yè)內(nèi)首款1700V氮化鎵開關(guān)IC登場！高耐壓且效率大于90%，PI是如何做到的
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）從硅產(chǎn)品、碳化硅產(chǎn)品，再到氮化鎵的功率變換開關(guān)產(chǎn)品，PI都走在行業(yè)前列。近期，PI推出InnoMux?-2系列單級、獨...
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點?它將如何影響高壓氮化鎵市場? 近日，Power Integrations(以...
2024-11-15 標(biāo)簽：氮化鎵GaN開關(guān)IC 206 0
合作案例 | 一文解開遠(yuǎn)山氮化鎵功率器件耐高壓的秘密
引言氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面...
Diodes 超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案
Diodes公司推出了一款高效140WUSBType-C充電解決方案，采用獲得專利的ACF拓?fù)洌瑵M足DOEVI和COCTier2效率要求。該方案支持PD...
本期為大家?guī)淼氖?00W氮化鎵充電器詳細(xì)介紹拆解。
本期為大家?guī)淼氖?00W氮化鎵充電器詳細(xì)介紹拆解。 這款充電器配備折疊插腳以及2C1A接口，兩個USB-C口均支持100W PD快充和PPS快充，US...
國星光電旗下風(fēng)華芯電推出D-mode氮化鎵半橋模塊
在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，氮化鎵功率器件因在效率、頻率、體積等綜合方面優(yōu)勢顯著，在快充等消費電子市場實現(xiàn)率先放量，并在國內(nèi)外主流手機(jī)廠商布局的推動下，滲透率持續(xù)提升。
力德諾70W多口氮化鎵充電器自帶1.5米可拆卸電源線設(shè)計，作為桌面充電器方便日常使用不受空間限制。產(chǎn)品配有LED屏幕可以顯示實時輸出功率，方便了解設(shè)備的...
PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開關(guān)IC
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日推出InnoMux-2系列單級、獨立...
Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC， 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿
美國加利福尼亞州圣何塞， 2024 年 11 月 4 日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯...
2024-11-05 標(biāo)簽：氮化鎵 313 0
德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模
德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，加上已有 GaN ...
德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體制造規(guī)模
近日，德州儀器（TI）宣布了一個重要的產(chǎn)能提升計劃。公司在日本會津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體已經(jīng)正式投產(chǎn)。
65w氮化鎵充電器2c1a方案| 過認(rèn)證、低成本！
驪微電子65w氮化鎵充電器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降壓芯片NDP1460PQB和PD協(xié)議芯片XPD7...
泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消...
德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，展現(xiàn)自有制造能力新高度
德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，此舉標(biāo)志著該公司在GaN半...
2024-10-30 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 216 0
近日，美國芯片大廠德州儀器（TI）宣布了一項重要進(jìn)展。其位于日本會津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化鎵功...
2024-10-29 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 450 0
日本羅姆半導(dǎo)體加強(qiáng)與臺積電氮化鎵合作,代工趨勢顯現(xiàn)
近日，日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體（ROHM）宣布，將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與臺積電的合作，其氮化鎵產(chǎn)品將全面交由臺積電代工生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著氮化鎵...
2024-10-29 標(biāo)簽：臺積電氮化鎵功率半導(dǎo)體 353 0
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