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標(biāo)簽 > 浪涌
浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講,浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時間內(nèi)的一種劇烈脈沖??赡芤鹄擞康脑蛴校褐匦驮O(shè)備、短路、電源切換或大型發(fā)動機。而含有浪涌阻絕裝置的產(chǎn)品可以有效地吸收突發(fā)的巨大能量,以保護連接設(shè)備免于受損。
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大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。
ESD和浪涌問題往往是基帶工程師最頭疼的問題,因為測試標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛,問題神出鬼沒。特別是ESD問題,沒有解決問題的標(biāo)準(zhǔn)路徑,只能靠反復(fù)地構(gòu)思方案并驗證。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項
關(guān)于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產(chǎn)生的浪涌,在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負電壓浪涌對策
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時,SiC MOSFET的HS誤...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策
本文的關(guān)鍵要點:通過采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來防止LS導(dǎo)通時的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
據(jù)估計,電子產(chǎn)品的故障有75%是由于瞬變和浪涌造成的。電壓的瞬變和浪涌無處不在,電網(wǎng)、雷擊、爆破,就連人在地毯上行走都會產(chǎn)生上萬伏的靜電感應(yīng)電壓,這些都...
2023-01-15 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品浪涌浪涌防護 1628 0
Ameya360雷卯電子:防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計要點
剛看過了CES2023,雷卯的外貿(mào)伙伴們看了新的AR,VR,5G產(chǎn)品,新的電子產(chǎn)品更智能、更復(fù)雜,嵌入了脆弱和敏感的集成電路。這些設(shè)備的環(huán)境往往很惡劣,...
某產(chǎn)品GPS接口浪涌故障整改案例——單向和雙向TVS的選擇
某產(chǎn)品GPS天饋口,在進行共模3KA@8/20μs沖擊電流測試時,正向和負向注入每次測試LDO芯片都會損壞,產(chǎn)品無法正常工作,實驗不通過。
浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講,浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時間內(nèi)的一種劇烈脈沖,。
2022-10-24 標(biāo)簽:電流浪涌配電系統(tǒng) 3411 0
產(chǎn)生浪涌的原因是多方面的,浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時間短的尖峰脈沖。電網(wǎng)過壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機/電源噪聲等都是產(chǎn)生浪涌的因素。而浪涌保護...
提及浪涌這個詞不知道會激起多少電子工程師內(nèi)心的恐懼與憤恨,特別是在新型電子產(chǎn)品第一版設(shè)計完善后做壓力疲勞測試的時候極為容易受到浪涌的危害。
針對ISO7637對汽車電子設(shè)備在電源上的抗擾度要求,這里浪拓給出一個合理的12V電源系統(tǒng)方案。 浪涌保護包括一個PPTC和TVS管,可以有效抑制類似于...
一文解析IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)浪涌抗擾度試驗
不同的電子、電氣產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)對浪涌(沖擊)抗擾度試驗的要求是不同的,但這些標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于浪涌(沖擊)抗擾度試驗大多都直接或間接引用GB/T17626.5-1999...
找到合適的設(shè)備并非難事。本文將逐步介紹選擇數(shù)字隔離器的一些關(guān)鍵步驟,從而簡化您的搜索。
2020-10-22 標(biāo)簽:德州儀器數(shù)字隔離器浪涌 1699 0
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