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標(biāo)簽 > 浪涌
浪涌也叫突波,顧名思義就是超出正常工作電壓的瞬間過電壓。本質(zhì)上講,浪涌是發(fā)生在僅僅幾百萬分之一秒時(shí)間內(nèi)的一種劇烈脈沖。可能引起浪涌的原因有:重型設(shè)備、短路、電源切換或大型發(fā)動(dòng)機(jī)。而含有浪涌阻絕裝置的產(chǎn)品可以有效地吸收突發(fā)的巨大能量,以保護(hù)連接設(shè)備免于受損。
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據(jù)估計(jì),電子產(chǎn)品的故障有75%是由于瞬變和浪涌造成的。電壓的瞬變和浪涌無處不在,電網(wǎng)、雷擊、爆破,就連人在地毯上行走都會(huì)產(chǎn)生上萬伏的靜電感應(yīng)電壓,這些都...
2023-01-15 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品浪涌浪涌防護(hù) 1628 0
以太網(wǎng)成為工業(yè)通信的支柱,其基礎(chǔ)設(shè)施對電涌事件(如雷擊)的敏感性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。這種事故會(huì)引起接地回路和磁耦合電壓,可能會(huì)使操作技術(shù)系統(tǒng)癱瘓。 為了保持...
不受管理的浪涌電壓可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)中斷或損壞,甚至對用戶和操作員造成危險(xiǎn)。浪涌保護(hù)裝置 (SPD),也稱為瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS),通常用于通過限制或阻...
管理電子系統(tǒng)浪涌,加強(qiáng)系統(tǒng)保護(hù)
避免電子產(chǎn)品出現(xiàn)電路系統(tǒng)故障及管理上電浪涌電流的方法已經(jīng)取得了長足發(fā)展,從簡單的保險(xiǎn)絲或P通道FET發(fā)展成了更為高級的解決方案。本文將討論系統(tǒng)保護(hù)的增強(qiáng)...
如果電子器件遭到破壞,且如果能發(fā)現(xiàn)燒灼痕跡等明顯的故障癥狀,則通常需要分析硅芯或電子元件。通過此類檢查,應(yīng)該能夠找出破壞事件的根本原因。最后應(yīng)總結(jié)出損壞...
防靜電和浪涌TVS layout設(shè)計(jì)要點(diǎn)
敏感部件可能會(huì)出現(xiàn)靜電損壞風(fēng)險(xiǎn)。國際電工委員會(huì)IEC委員會(huì)定義了標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)定義了四種嚴(yán)重等級,對應(yīng)于四種電壓等級,有兩種放電、接觸和空氣類型。
同軸音頻接口(Coaxial)是用于傳輸高頻率數(shù)字訊號(hào)的75歐姆同軸線材作為搭配標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備。其優(yōu)點(diǎn)是阻抗恒定,傳輸頻帶較寬,優(yōu)質(zhì)的同軸電纜頻寬可達(dá)幾百兆...
今天小編和大家聊下高次諧波對電動(dòng)機(jī)的影響主要有以下幾方面。
2023-06-15 標(biāo)簽:變頻器電動(dòng)機(jī)電機(jī) 1217 0
浪涌保護(hù)元件可以分為開關(guān)元件類、限壓元件類和防過流和過熱保護(hù)元件類三大類,具體選用哪種應(yīng)當(dāng)根據(jù)具體的應(yīng)用進(jìn)行分析,合理選擇。
如何通過數(shù)字控制閥增加空壓機(jī)的運(yùn)行時(shí)間
浪涌效應(yīng)是通過一個(gè)壓縮機(jī)的快速流動(dòng)逆轉(zhuǎn),由壓縮機(jī)內(nèi)的流動(dòng)模式的大規(guī)模崩潰所造成的。當(dāng)下游需求減少時(shí),會(huì)發(fā)生在低流速下的激增。當(dāng)流量低于一定的最小值時(shí),壓...
2016-12-06 標(biāo)簽:浪涌數(shù)字控制閥防喘閥 1212 0
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路
在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開始,將介紹針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
1000M千兆以太網(wǎng)口浪涌靜電保護(hù)經(jīng)典方案
1000M(千兆)以太網(wǎng),又叫吉比特以太網(wǎng),是一個(gè)描述各種以吉比特每秒速率進(jìn)行以太網(wǎng)幀傳輸技術(shù)的術(shù)語,由IEEE 802.3-2005標(biāo)準(zhǔn)定義。該標(biāo)準(zhǔn)允...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-浪涌抑制電路的電路板布局注意事項(xiàng)
關(guān)于SiC功率元器件中柵極-源極間電壓產(chǎn)生的浪涌,在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-負(fù)電壓浪涌對策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極-源極間電壓的負(fù)電壓浪涌,來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí),SiC MOSFET的HS誤...
大家可能并不陌生MOS管,由于MOS管不具備防靜電、防浪涌,ESD靜電和浪涌無處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策
本文的關(guān)鍵要點(diǎn):通過采取措施防止柵極-源極間電壓的正電壓浪涌,來防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能,則...
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