開關(guān)管三個(gè)引腳和功能

開關(guān)管通常具有三個(gè)引腳，分別為G（Gate，門極）、D（Drain，漏極）和S（Source，源極）。這三個(gè)引腳在開關(guān)管中扮演著不同的角色，共同決定了開...

2024-10-25 標(biāo)簽：源極漏極引腳 579 0

P溝道場效應(yīng)管的電流方向是什么

P溝道場效應(yīng)管（P-channel Field-Effect Transistor，簡稱P-FET）的電流方向是半導(dǎo)體器件工作中的一個(gè)基本特性，它決定了...

2024-09-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管漏極 592 0

ldo功率管工作在什么區(qū)

線性穩(wěn)壓器（LDO）是一種廣泛使用的電源管理器件，其主要功能是將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。LDO的工作原理是通過調(diào)整內(nèi)部功率管的導(dǎo)通程度來實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)...

2024-07-14 標(biāo)簽：ldo電源管理器漏極 1378 0

場效應(yīng)管在線路板上如何測量好壞

場效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子線路中。在實(shí)際應(yīng)用中，我們經(jīng)常需要對場效...

2024-07-14 標(biāo)簽：場效應(yīng)管線路板漏極 579 0

mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別

漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...

2024-01-31 標(biāo)簽：二極管MOSFET場效應(yīng)晶體管 1953 0

美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET

美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV ...

2023-10-12 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管漏極 1170 0

MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/應(yīng)用

MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個(gè)區(qū)域組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。其中，柵極和漏極都是金屬電極，源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。

2023-09-28 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體MOS管 5891 0

MOS管的通斷過程你都理解透了嗎？

對于恒定Vds，Vgs越大，則溝道中可移動的電子越多，溝道電阻就越小，ID就越大。當(dāng)然這個(gè)Vgs大到一定值，電壓再大，ID的變化也不會再有太大的變化了。...

2023-03-25 標(biāo)簽：電阻MOS管漏極 4450 0

如何使用MOS管進(jìn)行直流電機(jī)控制

在現(xiàn)代電子技術(shù)中，直流電機(jī)因其高效、可控和可靠的特性而被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品中。MOS管因其高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻成為控制直流電機(jī)的理想選擇。...

2024-11-05 標(biāo)簽：直流電機(jī)MOS管漏極 254 0

一文知道什么是漏極開路

一般芯片的數(shù)據(jù)手冊將對輸出管腳說明這一點(diǎn)，在如下功能電路圖中，其中輸出管腳就采用漏級開路輸出模式。

2020-03-21 標(biāo)簽：漏極漏極開路 2.4萬 0

三菱電機(jī)上市漏極效率達(dá)70%的MOSFET新品RD01MUS2B

三菱電機(jī)將上市輸出功率為1W的7.2V MOSFET新產(chǎn)品RD01MUS2B，適用于商用無線傳呼機(jī)及特定小功率無線傳呼機(jī)用功率放大器。新產(chǎn)品將于2011...

2011-11-10 標(biāo)簽：MOSFET三菱電機(jī)漏極 2843 0

什么是漏極,場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么?

什么是漏極,場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么? 漏極 　　場效應(yīng)晶體管（Field Effect

2010-03-04 標(biāo)簽：漏極 5562 0