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標(biāo)簽 > 漏極電壓
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MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)來(lái)控制電流的流動(dòng)。在MOSFET中,漏極電壓(Vd)是指漏極和源極之間...
2024-09-18 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極電壓 1008 0
這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展,當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時(shí)候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以...
應(yīng)用筆記——GaN偏置電路設(shè)計(jì)準(zhǔn)則
本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記,雖然標(biāo)題是針對(duì)GaN偏置電路設(shè)計(jì)的一些基本準(zhǔn)則,但實(shí)際上對(duì)GaAs也是適用的。基于化合物半導(dǎo)體做射頻功放的同學(xué)應(yīng)...
2023-05-10 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶體管偏置電路 4872 0
起初,小明拋出問(wèn)題后,群里討論的很熱鬧,眾說(shuō)紛紜。有說(shuō)一兩百的,有說(shuō)幾百的,也有說(shuō)510+Rdson,當(dāng)然也有質(zhì)疑通電不應(yīng)該測(cè)電阻的…
一般來(lái)講,我們認(rèn)為器件在線性區(qū)漏極電壓很小,沒有GIDL現(xiàn)象 。從上圖明顯可以看到在0V時(shí)Idsat曲線比Idlin曲線的電流高了兩個(gè)數(shù)量級(jí)。在反方向繼...
線性功率MOSFETS的輸出特性和應(yīng)用設(shè)計(jì)
電子負(fù)載,線性穩(wěn)壓器或A類放大器等應(yīng)用程序在功率MOSFET的線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行,這需要高功耗能力和擴(kuò)展的正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)特性。這種工作模式...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET線性穩(wěn)壓器漏極電壓 3938 0
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