提拉法生長(zhǎng)晶體的概念和應(yīng)用

在外加電場(chǎng)作用下折射率發(fā)生變化，從而使通過(guò)晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光，并產(chǎn)生一根位差效應(yīng)的晶體。

2024-02-27 標(biāo)簽：晶體砷化鎵 1419 0

電磁量子標(biāo)準(zhǔn)扁平化應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)

約瑟夫森效應(yīng)和量子化霍爾電阻效應(yīng)對(duì)應(yīng)的h/2e和h/e2，剛好可以導(dǎo)出基本電荷e，在微觀上形成量子三角形（見(jiàn)圖5）。另外，國(guó)際上也正在積極探索基于單電子...

2024-01-08 標(biāo)簽：電磁石墨烯砷化鎵 928 0

伯努利吸盤(pán)的應(yīng)用場(chǎng)景、原理及優(yōu)勢(shì)

伯努利吸盤(pán)是一種基于伯努利原理而工作的非接觸式吸盤(pán)。伯努利原理是流體動(dòng)力學(xué)中的一個(gè)基本概念，由18世紀(jì)的瑞士科學(xué)家丹尼爾·伯努利提出。伯努利原理指出，在...

2023-12-27 標(biāo)簽：晶圓砷化鎵半導(dǎo)體制造 2400 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備（三）

我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來(lái)形成的。

2023-12-25 標(biāo)簽：砷化鎵半導(dǎo)體晶圓 922 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備（二）

晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個(gè)晶胞的特定的點(diǎn)上。

2023-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓砷化鎵 572 0

太陽(yáng)能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲技術(shù)

光捕獲技術(shù)是提高太陽(yáng)能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來(lái)，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。利用表面等離...

2023-12-05 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能等離子體 1261 0

太陽(yáng)能電池中表面等離子體增強(qiáng)光捕獲方案

延長(zhǎng)光路的常見(jiàn)方法是在電池中集成背反射器，或使用光捕獲結(jié)構(gòu)多次散射光線(xiàn)，使其進(jìn)入活性吸收層。在電池表面添加防反射涂層或在電池表面進(jìn)行紋理處理，可以減少陽(yáng)...

2023-12-02 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池石墨烯砷化鎵 803 0

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 459 0

半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系

為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命，彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng)，業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。

2023-08-21 標(biāo)簽：晶體管MOS砷化鎵 1028 0

三安集成于EDICON24展示新一代砷化鎵射頻器件制造工藝

北京2024年4月10日 /美通社/ -- EDICON CHINA 2024 （電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)）于4月9日-10日在北京會(huì)議中心正式舉行，暌違三年有...

2024-04-10 標(biāo)簽：無(wú)線(xiàn)通信砷化鎵射頻器件 401 0

碳化硅SiC襯底生產(chǎn)工藝流程與革新方法

HTCVD法能通過(guò)控制源輸入氣體比例可以到達(dá)較為精準(zhǔn)的 Si/C比，進(jìn)而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體，但由于氣體作為原材料晶體生長(zhǎng)的成本很高，該法主...

2024-02-29 標(biāo)簽：光電器件SiC砷化鎵 2271 0

Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選？

氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電和其他應(yīng)用。

2023-12-15 標(biāo)簽：氮化鎵GaN砷化鎵 683 0

鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域？

中國(guó)對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制，短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮，遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶?zhuān)苿?dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，國(guó)外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)物聯(lián)網(wǎng)氮化鎵 1881 0