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標簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數5.65×10-10m,熔點1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于...
太陽能光伏發電在全球取得長足發展。常用光伏電池一般為多晶硅和單晶硅電池,然而由于原材料多晶硅的供應能力有限,加上國際炒家的炒作,導致國際市場上多晶硅價格...
2018-03-01 標簽:砷化鎵 2.7萬 0
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區別是:硅基芯片是進行物理刻蝕線路工藝(凹刻),可以5-100納米工藝,而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學堆砌線路(凸堆),線...
砷化鎵是一種半導體材料。它具有優異的電子輸運性能和能帶結構,常用于制造半導體器件,如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小,使得它在電子和光學應用中...
砷化鎵芯片的制造工藝相對復雜,需要使用分子束外延(MBE)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)等專門的生長技術。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單,可以使...
砷化鎵芯片的制造工藝要求高,需要精確控制工藝參數,以保證芯片的質量;砷化鎵芯片的制造過程中,由于砷化鎵的比表面積較大,容易形成氣泡,影響芯片的質量;砷化...
通過砷化鎵制程的PN結測量建模可以得出VerilogA模型的正確性和通用性
本文中論述的是二極管的小信號模型,適用于半導體材料組成的PN結以及金屬半導體組成的肖特基PN結。另外,論述的二極管的模型參數適用于GaAs HBT制程的...
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項革命性技術,在實現未來的射頻、微波和毫米波系統方面能夠發揮巨...
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下,第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求,碳化硅和氮化鎵等第三代半...
立昂微IPO解讀:募資17億元,投8英寸硅片以及射頻芯片項目
其次,砷化鎵是繼硅單晶之后第二代新型化合物半導體材料中最重要、用途最廣泛的材料之一,且主要產能均由國外少數廠商壟斷。通過射頻芯片項目,實現6英寸GaAs...
砷化鎵可在一塊芯片上同時處理光電數據,因而被廣泛應用于遙控、手機、DVD計算機外設、照明等諸多光電子領域。另外,因其電子遷移率比硅高6倍,砷化鎵成為超高...
半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類,元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。
砷化鎵是發光材料,加上泵浦源和諧振腔,即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設計,典型代表是VCSEL(垂直腔...
砷化鎵是不是金屬材料 砷化鎵屬于半導體材料。砷化鎵(化學式:GaAs)是鎵和砷兩種元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料,用來...
2023-02-14 標簽:砷化鎵 7908 0
國外采用柔性砷化鎵薄膜電池設計出太陽能無人機 實現人類歷史上第一次永續飛行
11月14日,據美國專業媒體Aviation Week & Space Technology報道,波音公司旗下極光飛行科學公司(Aurora)設計了一架...
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