了解半導(dǎo)體材料：硅

硅作為一種半導(dǎo)體的使用材料徹底改變了電子工業(yè)，開啟了數(shù)字時代。然而，許多人仍對這種重要的材料的性質(zhì)和用途一無所知。讓我們近距離地了解一下硅，它是什么，怎...

2023-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料硅基 2301 0

為什么硅基MEMS激光雷達(dá)無法用作汽車主雷達(dá)

雖然硅基MEMS微振鏡區(qū)別于傳統(tǒng)的金屬機(jī)械結(jié)構(gòu)部件（電機(jī)、轉(zhuǎn)子等），避免了機(jī)械式激光雷達(dá)因內(nèi)部旋轉(zhuǎn)的整體模塊體積和重量都較大引起受沖擊時慣量太大而容易致...

2023-10-08 標(biāo)簽：mems激光雷達(dá)硅基 1561 0

硅基氮化鎵未來發(fā)展趨勢分析

GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標(biāo)簽：射頻無線電氮化鎵 1281 0

硅基MCT紅外探測器的鈍化初步研究

碲鎘汞（MCT）材料的表面鈍化是紅外探測器制備中的關(guān)鍵工藝之一。高性能MCT器件需要穩(wěn)定且可重復(fù)生產(chǎn)的鈍化表面和符合器件性能要求的界面。因此，探究MCT...

2023-09-12 標(biāo)簽：芯片探測器硅基 879 0

基于SPAD的近紅外高分辨率dTOF探測器工藝設(shè)計(jì)

基于單光子雪崩二極管（SPAD）的光子直接飛行時間（dTOF）探測器通過測量發(fā)射光與反射光之間的時間間隔來計(jì)算所探測的距離，具有體積小、功耗低和分辨率高...

2023-08-23 標(biāo)簽：集成電路紅外線探測器 2683 0

硅基外延量子點(diǎn)激光器及摻雜調(diào)控方面取得重要研究進(jìn)展

? 硅基光電子集成芯片以成熟穩(wěn)定的CMOS工藝為基礎(chǔ)，將傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，極大提升芯片的信息傳輸和處理能力，可廣泛應(yīng)...

2023-06-26 標(biāo)簽：芯片激光器硅基 547 0

硅基氮化鎵工藝流程

硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...

2023-02-11 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵硅基 1.0萬 1

光刻膠中金屬雜質(zhì)對硅基基質(zhì)的吸附機(jī)理 南通華林科納分析

應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù)，即烘烤溫度和襯底類型(...

2021-12-13 標(biāo)簽：納米材料納米襯底 1199 0

闡述硅基負(fù)極材料粘結(jié)劑的研究進(jìn)展并對不同類型粘結(jié)劑進(jìn)行優(yōu)缺點(diǎn)對比

在鋰離子電池中，粘結(jié)劑是影響電極結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的重要因素之一。根據(jù)分散介質(zhì)的性質(zhì)，鋰離子電池粘結(jié)劑可分為以有機(jī)溶劑為分散劑的油性粘結(jié)劑和以水為分散劑的水性粘...

2018-02-01 標(biāo)簽：電池粘結(jié)劑硅基負(fù)極材料 1.9萬 0

SITRI發(fā)布8英寸硅基GaN外延晶圓產(chǎn)品 解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用技術(shù)難題

該晶圓產(chǎn)品具備高晶體質(zhì)量、高材料均勻性、高耐壓與高可靠性等特點(diǎn)，同時實(shí)現(xiàn)材料有效壽命超過1百萬小時，成功解決了困擾硅基GaN材料應(yīng)用的技術(shù)難題，適用于中...

2018-01-04 標(biāo)簽：晶圓gan硅基 1.6萬 0

硅基近紅外光電轉(zhuǎn)換研究的進(jìn)展情況

麥姆斯咨詢：紅外光電檢測對光譜、夜間監(jiān)控、紅外導(dǎo)引、光通信等應(yīng)用領(lǐng)域具有重要意義。

2017-09-26 標(biāo)簽：硅基 7933 0