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標簽 > 硅片
硅片,是制作集成電路的重要材料,通過對硅片進行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬個晶體管,這是科學技術進步的又一個里程碑。
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硅片形貌效應及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關系的解析
硅片形貌效應在光刻工藝中十分重要,特別是在現代集成電路制造中,如FinFET等先進器件結構以及雙重圖形技術的廣泛應用下,硅片表面的微小不平整性對光刻結果...
“ 光刻作為半導體中的關鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常,整個光刻工藝都需要返工處理,因此現場異常的處理顯得尤為關鍵”
光伏多晶硅是一種用于制造太陽能電池的材料,其分片過程是將整塊的多晶硅切割成適合制造太陽能電池的小塊。這個過程對于提高太陽能電池的效率和降低成本至關重要。...
美國進口 KRi 考夫曼離子源 KDC 160 硅片刻蝕清潔案例
上海伯東美國 KRi 大尺寸考夫曼離子源 KDC 160 適用于 2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應用, KRi KDC 160 是直流柵網離子源, 高輸出離...
專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit,簡稱ASIC)是一種針對特定應用設計和制造的集成電路。與通...
分凝吸雜由雜質的溶解度梯度或硅片不同區域對雜質的溶解能力不同產生。與釋放機制不同,分凝吸雜,吸雜區一般都在器件區的外邊。
2024-04-01 標簽:硅片 803 0
使用ICP-MS/MS進行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實驗過程
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產過程中的基本要求,其潔凈度直接影響產品的最終性能、效率以及穩定性。硅片是由硅棒上切割所得,其表面的多層晶格處于被破...
本文回顧了硅片視覺檢測從EL檢測向PL檢測的技術轉變,詳細介紹了兩款革命性光源的崛起,包括1050nm紅外光源和低成本PL光源。這兩款光源以其低成本和高...
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