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      標簽　>　第三代半導(dǎo)體

      第三代半導(dǎo)體

      +關(guān)注 0人關(guān)注

      第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個階段。

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      第三代半導(dǎo)體簡介

      　　半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個階段：

      　　第一代材料是硅，以硅（Si）和鍺（Ge ）為代表，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。

      　　第二代材料是以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（ GaP ）為代表，目前的大部分通信設(shè)備的材料。

      　　第三點材料以氮化鎵（ GaN）、碳化硅（ SiC）、金剛石為代表 ，未來5G時代的標配。

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      第三代半導(dǎo)體知識

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      第三代半導(dǎo)體技術(shù)

      第一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？

      第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。

      2023-04-04 標簽：新能源汽車MOSFET摩爾定律 1.6萬 0

      第三半導(dǎo)體是什么？第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體的區(qū)別

      　第三代半導(dǎo)體是一種新型的半導(dǎo)體材料，它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件，從而提高電子設(shè)備的性能。

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      淺析氮化鎵技術(shù)原理及技術(shù)突破路線

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      2023-02-03 標簽：SiC襯底碳化硅 4353 0

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報告

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報告

      半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

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      ST 基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

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      SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似，一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié)，SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長、晶體切割...

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      第三代半導(dǎo)體資訊

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