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標簽 > 第三代半導體
第三代半導體主要是材料的變化。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料,發展經歷了三個階段。
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第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
全球碳化硅產業呈現明顯的行業上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產業鏈中的核心環節,已成為兵家必爭之地。
第三代半導體是一種新型的半導體材料,它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件,從而提高電子設備的性能。
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