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標簽 > 紫外激光
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紫外激光剝離,適用于chip last或RDL-first扇出型晶圓級封裝
臨時鍵合需要鍵合(bonding)和剝離(debonding)兩種工藝。從扇出型晶圓級封裝(fan-out wafer-level packaging,...
激光誘導損傷閾值(LIDT)定義了光學器件在不造成損傷的情況下可以處理的最大激光輻射量。這是將光學元件集成到激光器中時要考慮的最重要的規范之一。 紫外激...
GaN性能優異,在光電子、微電子器件應用廣泛,發展潛力巨大;進一步發展,需提升材料質量,制備高質量氮化鎵同質襯底。
激光是上個世紀60年代的重要發明之一,它具有良好的單色性、方向性、強相干性和高功率密度性等優點。隨著行業的發展,激光器的種類越來越多。
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