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Navitas 成立于 2014 年，開發的超高效氮化鎵 （GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續性方面正在徹底改變電力電子領域。
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聯想新品充電器搭載納微半導體GaNFast氮化鎵功率芯片，革新快充體驗
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Navitas 成立于 2014 年，開發的超高效氮化鎵 （GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續性方面正在徹底改變電力電子領域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現了我們對開發技術以改善和更可持續的能源使用的關注，還體現了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
GaN 的重要性與日俱增，因為它能夠提供比傳統硅半導體顯著改進的性能，同時減少提供該性能所需的能量和物理空間。GaN 技術將通過提高效率、降低清潔能源的成本以及減少制造功率半導體所需的材料和能源來加速向可持續未來的過渡。
Navitas 是 GaN 的行業領導者，在單個易于使用的集成電路 （IC） 中提供驅動、控制和保護。Navitas GaNFast IC是易于使用的“數字輸入、電源輸出”構建塊，可將開關速度提高 100 倍，同時將節能效果提高 40%。
通過選擇 Navitas GaN，產品開發人員能夠創建比以往更小、更輕、更快、更環保的電源轉換和電源管理解決方案。從智能手機、筆記本電腦和平板電腦的快速充電器到電視、數據中心、電動汽車、電動汽車和可再生能源發電，GaNFast IC 可實現最高能效、最高集成度和最高功率密度。
Navitas 的管理團隊在電力電子領域的創新和業務創造方面有著非凡的記錄。該公司由管理團隊和頂級風險投資家 Atlantic Bridge、Capricorn Investment Group 和 Malibu IQ 資助，他們都在建立對電子行業產生重大影響的業務方面擁有良好的記錄。
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禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。
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