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標(biāo)簽 > 蝕刻

蝕刻

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最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

文章:400個(gè) 瀏覽:15346 帖子:14個(gè)

蝕刻技術(shù)

側(cè)墻工藝是什么意思

側(cè)墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類(lèi)似,側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層,從而保護(hù)LDD 結(jié)構(gòu),防止重?fù)诫s的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展區(qū)。側(cè)墻是由兩個(gè)主要工藝步驟形...

2024-11-09 標(biāo)簽:集成電路工藝蝕刻 174 0

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

過(guò)度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會(huì)導(dǎo)致表面粗糙。當(dāng)硅表面在HF過(guò)程中暴露于OH離子時(shí),硅表面可能會(huì)變得粗糙。

2024-11-05 標(biāo)簽:硅晶圓蝕刻光刻膠 150 0

濕法蝕刻的發(fā)展

濕法蝕刻的發(fā)展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類(lèi)似于前氧化清潔沖洗干燥過(guò)程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時(shí)間,轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸,然后轉(zhuǎn)移到最終...

2024-10-24 標(biāo)簽:晶圓蝕刻 132 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書(shū) 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標(biāo)簽:光刻蝕刻晶圓制造 1349 0

基于光譜共焦技術(shù)的PCB蝕刻檢測(cè)

基于光譜共焦技術(shù)的PCB蝕刻檢測(cè)

傳統(tǒng)的2D視覺(jué)技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測(cè)。3D成像技術(shù)則以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),輕松地在視野范圍內(nèi)構(gòu)建目標(biāo)物的狀態(tài),無(wú)論是斷差還是孔徑...

2024-05-27 標(biāo)簽:pcb蝕刻光譜 381 0

通信——通過(guò)表面電荷操縱控制鍺的蝕刻

通信——通過(guò)表面電荷操縱控制鍺的蝕刻

引言 鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品,因?yàn)樽罱耐|(zhì)外延生長(zhǎng)已經(jīng)產(chǎn)生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進(jìn)行高速硬X射線(xiàn)檢測(cè),并在硅基本透明的...

2024-04-25 標(biāo)簽:蝕刻edl 365 0

關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

干式蝕刻是為對(duì)光阻上的圖案忠實(shí)地進(jìn)行高精密加工的過(guò)程,故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差(選擇比)較大、且能夠確保蝕刻的非等向性(主要隨材料層的厚度方向進(jìn)...

2024-04-18 標(biāo)簽:蝕刻 572 0

半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過(guò)程

半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過(guò)程

芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過(guò)程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過(guò)程。本文努力將這一工藝過(guò)程做一個(gè)匯總,對(duì)這個(gè)復(fù)雜的過(guò)程有一個(gè)全面而概括的描述。

2024-03-29 標(biāo)簽:芯片制造蝕刻單晶硅 3298 0

芯片制作流程分解說(shuō)明

芯片制作流程分解說(shuō)明

芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試,其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試,前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性,如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標(biāo)簽:芯片NAND晶圓 979 0

細(xì)述幾種高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)

細(xì)述幾種高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)

一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù),制得絨面的反射率可達(dá)到10%以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)(RIE),該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶...

2024-03-19 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池蝕刻晶體硅 1380 0

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蝕刻資訊

VCSEL激光在蝕刻和光刻中的應(yīng)用與前景

VCSEL激光在蝕刻和光刻中應(yīng)用廣泛,提高精度和效率。銀月光科技提供多波長(zhǎng)VCSEL激光器,定制化服務(wù),助力工業(yè)生產(chǎn)高效高質(zhì)量。未來(lái),更多種類(lèi)VCSEL...

2024-08-01 標(biāo)簽:激光光刻蝕刻 354 0

玻璃基電路板的蝕刻和側(cè)蝕技術(shù)

在對(duì)顯示面板和玻璃基板減薄蝕刻主要是指通過(guò)一定配比混酸等蝕刻液對(duì)液晶面板和玻璃基板等(二氧化硅)玻璃材質(zhì)基板進(jìn)行化學(xué)腐蝕。本文所摘選信息雖不是專(zhuān)門(mén)介紹對(duì)...

2024-07-19 標(biāo)簽:電路板蝕刻 400 0

玻璃電路板表面微蝕刻工藝

玻璃電路板表面微蝕刻工藝

玻璃表面蝕刻紋路由于5G時(shí)代玻璃手機(jī)后蓋流行成為趨勢(shì),預(yù)測(cè)大部分中高端機(jī)型將采用玻璃作為手機(jī)的后蓋板。因此,基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中...

2024-07-17 標(biāo)簽:電路板蝕刻 489 0

用于批量加工的創(chuàng)新型 NexAStep濕式蝕刻清洗系統(tǒng)

用于批量加工的創(chuàng)新型 NexAStep濕式蝕刻清洗系統(tǒng)

來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志文章 近幾十年來(lái),半導(dǎo)體行業(yè)取得了巨大進(jìn)步,在我們的現(xiàn)代世界中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。濕法工藝設(shè)備是生產(chǎn)高質(zhì)量半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部...

2024-06-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻晶片 213 0

聯(lián)想拯救者Y700平板新品發(fā)布,配置維持不變,屏幕改為霧面屏,操作體驗(yàn)升級(jí)

聯(lián)想方面稱(chēng),Y700 超控版率先引進(jìn)納米微晶光路設(shè)計(jì)以提升操控體驗(yàn)。同時(shí),還采用了微納米蝕刻 AG 加工技術(shù),使得即使在光線(xiàn)強(qiáng)烈的環(huán)境中,屏幕仍然清晰可見(jiàn)。

2024-04-09 標(biāo)簽:處理器聯(lián)想蝕刻 2306 0

影響pcb蝕刻性能的五大因素有哪些?

影響pcb蝕刻性能的五大因素有哪些?

一站式PCBA智造廠(chǎng)家今天為大家講講影響pcb蝕刻性能的因素有哪些方面?影響pcb蝕刻性能的因素。PCB蝕刻是PCB制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟之一,影響蝕刻性...

2024-03-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)蝕刻PCB 861 0

印度展開(kāi)鋁箔反傾銷(xiāo)調(diào)查,中國(guó)產(chǎn)品或進(jìn)口產(chǎn)品成為目標(biāo)

然而,經(jīng)過(guò)詳細(xì)考慮,本次調(diào)查將完全不涉及厚度低于5.5微米的非電容器用鋁箔,也不會(huì)涉及原產(chǎn)自中國(guó)、印度尼西亞、馬來(lái)西亞和泰國(guó)且厚度不超過(guò)80微米的鋁箔,...

2024-03-26 標(biāo)簽:電容器蝕刻鋁箔 668 0

通過(guò)X射線(xiàn)光刻在指尖大小的芯片中產(chǎn)生高精度微光學(xué)元件的晶圓級(jí)制造

通過(guò)X射線(xiàn)光刻在指尖大小的芯片中產(chǎn)生高精度微光學(xué)元件的晶圓級(jí)制造

引言 在過(guò)去的二十年中,市場(chǎng)對(duì)大量N灰度級(jí)三維微納米元件的需求一直很活躍?;阢U筆束的光刻技術(shù),我們可以生產(chǎn)出精確的組件,但目前需要更長(zhǎng)的時(shí)間去處理。使...

2024-02-28 標(biāo)簽:芯片蝕刻晶圓級(jí) 450 0

鍺化硅(SiGe)和硅(Si)之間的各向同性和選擇性蝕刻機(jī)制

鍺化硅(SiGe)和硅(Si)之間的各向同性和選擇性蝕刻機(jī)制

引言 目前,硅的電氣和熱性能在微電子技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。鍺化硅(SiGe)合金的使用頻率越來(lái)越高,在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中,英思特通過(guò)使用SON結(jié)構(gòu)...

2024-02-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻鍺化硅 1768 0

東京電子新型蝕刻機(jī)研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團(tuán)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告,東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉,該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外,設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)...

2024-02-18 標(biāo)簽:閃存芯片蝕刻東京電子 641 0

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蝕刻數(shù)據(jù)手冊(cè)

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編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國(guó)民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂(lè)鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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Coilcraft LRC trinamic
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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