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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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與亞微米工藝類(lèi)似,側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層,從而保護(hù)LDD 結(jié)構(gòu),防止重?fù)诫s的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展區(qū)。側(cè)墻是由兩個(gè)主要工藝步驟形...
蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類(lèi)似于前氧化清潔沖洗干燥過(guò)程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時(shí)間,轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸,然后轉(zhuǎn)移到最終...
傳統(tǒng)的2D視覺(jué)技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測(cè)。3D成像技術(shù)則以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),輕松地在視野范圍內(nèi)構(gòu)建目標(biāo)物的狀態(tài),無(wú)論是斷差還是孔徑...
引言 鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品,因?yàn)樽罱耐|(zhì)外延生長(zhǎng)已經(jīng)產(chǎn)生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進(jìn)行高速硬X射線(xiàn)檢測(cè),并在硅基本透明的...
干式蝕刻是為對(duì)光阻上的圖案忠實(shí)地進(jìn)行高精密加工的過(guò)程,故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差(選擇比)較大、且能夠確保蝕刻的非等向性(主要隨材料層的厚度方向進(jìn)...
2024-04-18 標(biāo)簽:蝕刻 572 0
芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過(guò)程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過(guò)程。本文努力將這一工藝過(guò)程做一個(gè)匯總,對(duì)這個(gè)復(fù)雜的過(guò)程有一個(gè)全面而概括的描述。
芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試,其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試,前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性,如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。
細(xì)述幾種高效晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)
一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù),制得絨面的反射率可達(dá)到10%以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)(RIE),該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶...
2024-03-19 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池蝕刻晶體硅 1380 0
類(lèi)別:模擬數(shù)字論文 2022-06-29 標(biāo)簽:光刻蝕刻GaAs 494 0
類(lèi)別:品質(zhì)管理資料 2022-06-28 標(biāo)簽:蝕刻硅片 305 0
類(lèi)別:電源技術(shù) 2017-06-22 標(biāo)簽:電機(jī)控制印刷電路板PCB設(shè)計(jì) 1037 0
類(lèi)別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2011-10-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PCB設(shè)計(jì)蝕刻 1150 0
VCSEL激光在蝕刻和光刻中應(yīng)用廣泛,提高精度和效率。銀月光科技提供多波長(zhǎng)VCSEL激光器,定制化服務(wù),助力工業(yè)生產(chǎn)高效高質(zhì)量。未來(lái),更多種類(lèi)VCSEL...
在對(duì)顯示面板和玻璃基板減薄蝕刻主要是指通過(guò)一定配比混酸等蝕刻液對(duì)液晶面板和玻璃基板等(二氧化硅)玻璃材質(zhì)基板進(jìn)行化學(xué)腐蝕。本文所摘選信息雖不是專(zhuān)門(mén)介紹對(duì)...
玻璃表面蝕刻紋路由于5G時(shí)代玻璃手機(jī)后蓋流行成為趨勢(shì),預(yù)測(cè)大部分中高端機(jī)型將采用玻璃作為手機(jī)的后蓋板。因此,基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中...
用于批量加工的創(chuàng)新型 NexAStep濕式蝕刻清洗系統(tǒng)
來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志文章 近幾十年來(lái),半導(dǎo)體行業(yè)取得了巨大進(jìn)步,在我們的現(xiàn)代世界中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。濕法工藝設(shè)備是生產(chǎn)高質(zhì)量半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部...
聯(lián)想拯救者Y700平板新品發(fā)布,配置維持不變,屏幕改為霧面屏,操作體驗(yàn)升級(jí)
聯(lián)想方面稱(chēng),Y700 超控版率先引進(jìn)納米微晶光路設(shè)計(jì)以提升操控體驗(yàn)。同時(shí),還采用了微納米蝕刻 AG 加工技術(shù),使得即使在光線(xiàn)強(qiáng)烈的環(huán)境中,屏幕仍然清晰可見(jiàn)。
一站式PCBA智造廠(chǎng)家今天為大家講講影響pcb蝕刻性能的因素有哪些方面?影響pcb蝕刻性能的因素。PCB蝕刻是PCB制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟之一,影響蝕刻性...
2024-03-28 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)蝕刻PCB 861 0
印度展開(kāi)鋁箔反傾銷(xiāo)調(diào)查,中國(guó)產(chǎn)品或進(jìn)口產(chǎn)品成為目標(biāo)
然而,經(jīng)過(guò)詳細(xì)考慮,本次調(diào)查將完全不涉及厚度低于5.5微米的非電容器用鋁箔,也不會(huì)涉及原產(chǎn)自中國(guó)、印度尼西亞、馬來(lái)西亞和泰國(guó)且厚度不超過(guò)80微米的鋁箔,...
通過(guò)X射線(xiàn)光刻在指尖大小的芯片中產(chǎn)生高精度微光學(xué)元件的晶圓級(jí)制造
引言 在過(guò)去的二十年中,市場(chǎng)對(duì)大量N灰度級(jí)三維微納米元件的需求一直很活躍?;阢U筆束的光刻技術(shù),我們可以生產(chǎn)出精確的組件,但目前需要更長(zhǎng)的時(shí)間去處理。使...
鍺化硅(SiGe)和硅(Si)之間的各向同性和選擇性蝕刻機(jī)制
引言 目前,硅的電氣和熱性能在微電子技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。鍺化硅(SiGe)合金的使用頻率越來(lái)越高,在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中,英思特通過(guò)使用SON結(jié)構(gòu)...
東京電子新型蝕刻機(jī)研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團(tuán)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位
根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告,東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉,該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外,設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)...
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