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標(biāo)簽 > 金屬柵極
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高K金屬柵極的結(jié)構(gòu)、材料、優(yōu)勢(shì)以及工藝流程
本文簡(jiǎn)單介紹了高K金屬柵極的結(jié)構(gòu)、材料、優(yōu)勢(shì)以及工藝流程。 ? High-K Metal Gate(HKMG)技術(shù)是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵技術(shù)之一,廣泛...
2024-11-25 標(biāo)簽:HKMG半導(dǎo)體制造金屬柵極 135 0
金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩(wěn)定均勻的有效功函數(shù),兩種工藝都對(duì)薄膜厚度的均勻性要求較高。另外,先柵極的工藝對(duì)金屬薄膜沒(méi)有臺(tái)階...
美光推出1β DDR5 DRAM:速度7200MT/s,每瓦性能提高33%
美光公司的1β制造工藝使用本公司的新一代高k金屬柵極工程(hkmg), 16gb芯片的比特密度和能源效率分別比1a節(jié)點(diǎn)提高35%和15%。新技術(shù)有助于制...
臺(tái)積電4月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)新高,沖破500.7億新臺(tái)幣
作為全球晶圓代工的領(lǐng)導(dǎo)者,臺(tái)積電半導(dǎo)體有限公司近日公布最新財(cái)報(bào),在2013年4月,臺(tái)積電以強(qiáng)勁的市場(chǎng)前景超出2012年同期銷(xiāo)售額25%。
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