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標(biāo)簽 > 非易失性內(nèi)存
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富士通電子推出最新4Mbit FRAM 運(yùn)作溫度最高可達(dá)125℃
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,并已量產(chǎn)20多年,近年來廣泛用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人和無人機(jī)。
2020-07-24 標(biāo)簽:工業(yè)機(jī)器人fram非易失性內(nèi)存 908 0
富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的新款2Mbit FRAM
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,已有對(duì)傳統(tǒng)非易失性內(nèi)存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
2020-05-11 標(biāo)簽:fram非易失性內(nèi)存富士通 1140 0
首先想要給燒友們介紹下什么是非易失性內(nèi)存?是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫...
2020-03-13 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器非易失性內(nèi)存 1263 0
這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù),采用獨(dú)特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成,旨在
2010-11-11 標(biāo)簽:非易失性內(nèi)存Qor 1073 0
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