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標(biāo)簽 > 3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型,通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間,但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。

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3d nand技術(shù)

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔(Channel Hole)指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面,穿過(guò)多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu),并填充了導(dǎo)電材料,它們?cè)诿總€(gè)...

2024-03-20 標(biāo)簽:刻蝕3d nand 1042 0

3D NAND的主要制作流程

3D NAND的主要制作流程

SiO2與SiNx交替鍍膜,每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同,膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖,只有幾層。但實(shí)際有64,128,400層等層數(shù)。

2024-03-19 標(biāo)簽:3d nand芯片制程 905 0

關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析(設(shè)計(jì)、制造和后制造)

半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。

2024-02-19 標(biāo)簽:DRAMNAND半導(dǎo)體制造 1389 0

3D NAND層數(shù)“爭(zhēng)霸賽”,300層雖遲但到

3D NAND層數(shù)“爭(zhēng)霸賽”,300層雖遲但到

眾所周知,固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)...

2023-08-30 標(biāo)簽:閃存數(shù)據(jù)傳輸固態(tài)硬盤(pán) 546 0

什么是硅或TSV通路?使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)

什么是硅或TSV通路?使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力,而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭,半導(dǎo)體器件的微型化也越來(lái)越依賴于集成T...

2023-07-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器TSV3d nand 741 0

存儲(chǔ)芯片是什么 存儲(chǔ)芯片的分類及發(fā)展歷史

存儲(chǔ)芯片是什么 存儲(chǔ)芯片的分類及發(fā)展歷史

存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會(huì)用到存儲(chǔ)器。據(jù)WSTS預(yù)測(cè),2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1675億美元,...

2023-07-07 標(biāo)簽:fpgaasic存儲(chǔ)芯片 1.4萬(wàn) 0

典型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)技術(shù)分析

典型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)技術(shù)分析

這種存儲(chǔ)技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。大約每?jī)赡辏琋AND 閃存行業(yè)就會(huì)顯著提高位存儲(chǔ)密度,以...

2023-06-27 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器3d nand隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2076 0

高端性能封裝平臺(tái)的主要技術(shù)趨勢(shì)解析

高端性能封裝平臺(tái)的主要技術(shù)趨勢(shì)解析

3D 堆棧存儲(chǔ)器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的貢獻(xiàn)者,到 2028 年占總市場(chǎng)份額的 70% 以上。增長(zhǎng)最快的四大 =平臺(tái)是 3D ...

2023-06-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器封裝技術(shù)3d nand 649 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間...

2023-06-15 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)芯片蝕刻技術(shù) 2152 0

淺談蝕刻工藝開(kāi)發(fā)的三個(gè)階段

淺談蝕刻工藝開(kāi)發(fā)的三個(gè)階段

納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使...

2023-05-30 標(biāo)簽:晶體管蝕刻工藝3d nand 1686 0

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3d nand資訊

預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...

2024-06-29 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器3d nand 4442 0

NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價(jià)格暴漲

NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價(jià)格暴漲

消息人士指出,NAND封裝短缺對(duì)供應(yīng)鏈的全面影響可能需要兩到三個(gè)月的時(shí)間,屆時(shí)一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將 "暴漲"。

2024-01-19 標(biāo)簽:NANDSSD固態(tài)硬盤(pán) 413 0

簡(jiǎn)單介紹全球前五大存儲(chǔ)廠商

簡(jiǎn)單介紹全球前五大存儲(chǔ)廠商

主流存儲(chǔ)芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同,DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲(chǔ),存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高...

2023-11-21 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器存儲(chǔ)芯片 4909 0

三星計(jì)劃全面提高DDR5產(chǎn)量,過(guò)去一個(gè)月上漲5-10%

英特爾新一代消費(fèi)型筆電平臺(tái) Meteor Lake 預(yù)計(jì)第四季度問(wèn)世,搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級(jí)為 DDR5。

2023-11-10 標(biāo)簽:芯片內(nèi)存條RCD 523 0

如何看待3D DRAM技術(shù)?

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。

2023-05-31 標(biāo)簽:DRAMNAND3d nand 586 0

Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存

傳統(tǒng)上,控制邏輯和單元邏輯是在一個(gè)晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC),而 WD 和 Kiox...

2023-04-04 標(biāo)簽:閃存NAND3d nand 1686 0

2023年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)應(yīng)用展望

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在2022年經(jīng)歷了市場(chǎng)行情下跌、價(jià)格下滑、原廠縮減資本支出等形勢(shì)。不過(guò)數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)等需求仍然堅(jiān)挺。市場(chǎng)波動(dòng)...

2023-01-22 標(biāo)簽:存儲(chǔ)3d nandPCIe 5.0 3964 0

存儲(chǔ)供應(yīng)商正在競(jìng)相為 3D NAND 添加更多層

西門(mén)子 EDA技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理 Ben Whitehead 表示:“處理器的摩爾定律在過(guò)去幾年中一直滯后,但對(duì)于 NAND 閃存來(lái)說(shuō)仍然存在并且很好 。” ...

2022-08-30 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器堆疊3d nand 730 0

PCIe 5.0進(jìn)入快車道 加速NAND的迭代升級(jí)

預(yù)計(jì)到2025年,國(guó)內(nèi)企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)規(guī)模將增至489億元,5年間復(fù)合增速約25%,而PCIe SSD市場(chǎng)份額比例將增至90%。

2022-08-08 標(biāo)簽:SSD3d nandPCIe5.0 1824 0

傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多20%;美光首發(fā)232層3D NAND,將于2022年末量產(chǎn)

傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多 20% ? 根據(jù)外媒的最新消息,三星正就將芯片制造價(jià)格提高20%進(jìn)行商議。值得注意的是,除了三星之外,臺(tái)積電此前也宣布,...

2022-05-15 標(biāo)簽:三星電子芯片制造美光 1.2萬(wàn) 0

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3d nand數(shù)據(jù)手冊(cè)

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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