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標(biāo)簽 > 3d nand
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型,通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間,但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
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溝道通孔(Channel Hole)指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面,穿過(guò)多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu),并填充了導(dǎo)電材料,它們?cè)诿總€(gè)...
SiO2與SiNx交替鍍膜,每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同,膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖,只有幾層。但實(shí)際有64,128,400層等層數(shù)。
關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析(設(shè)計(jì)、制造和后制造)
半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
2024-02-19 標(biāo)簽:DRAMNAND半導(dǎo)體制造 1389 0
3D NAND層數(shù)“爭(zhēng)霸賽”,300層雖遲但到
眾所周知,固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)...
2023-08-30 標(biāo)簽:閃存數(shù)據(jù)傳輸固態(tài)硬盤(pán) 546 0
什么是硅或TSV通路?使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)
TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力,而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭,半導(dǎo)體器件的微型化也越來(lái)越依賴于集成T...
存儲(chǔ)芯片是什么 存儲(chǔ)芯片的分類及發(fā)展歷史
存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品,我們?nèi)粘K械碾娮釉O(shè)備基本都會(huì)用到存儲(chǔ)器。據(jù)WSTS預(yù)測(cè),2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1675億美元,...
典型3D NAND閃存結(jié)構(gòu)技術(shù)分析
這種存儲(chǔ)技術(shù)的成功與其不斷擴(kuò)展密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。大約每?jī)赡辏琋AND 閃存行業(yè)就會(huì)顯著提高位存儲(chǔ)密度,以...
2023-06-27 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器3d nand隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2076 0
高端性能封裝平臺(tái)的主要技術(shù)趨勢(shì)解析
3D 堆棧存儲(chǔ)器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的貢獻(xiàn)者,到 2028 年占總市場(chǎng)份額的 70% 以上。增長(zhǎng)最快的四大 =平臺(tái)是 3D ...
3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間...
3D NAND對(duì)比2D NAND的優(yōu)勢(shì)立即下載
類別:嵌入式開(kāi)發(fā) 2017-10-13 標(biāo)簽:閃存3d nand2d nand 1375 0
預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實(shí)現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計(jì)劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...
NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價(jià)格暴漲
消息人士指出,NAND封裝短缺對(duì)供應(yīng)鏈的全面影響可能需要兩到三個(gè)月的時(shí)間,屆時(shí)一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格將 "暴漲"。
2024-01-19 標(biāo)簽:NANDSSD固態(tài)硬盤(pán) 413 0
主流存儲(chǔ)芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同,DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲(chǔ),存儲(chǔ)晶圓的設(shè)計(jì)及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高...
三星計(jì)劃全面提高DDR5產(chǎn)量,過(guò)去一個(gè)月上漲5-10%
英特爾新一代消費(fèi)型筆電平臺(tái) Meteor Lake 預(yù)計(jì)第四季度問(wèn)世,搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級(jí)為 DDR5。
3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存
傳統(tǒng)上,控制邏輯和單元邏輯是在一個(gè)晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC),而 WD 和 Kiox...
2023年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)應(yīng)用展望
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在2022年經(jīng)歷了市場(chǎng)行情下跌、價(jià)格下滑、原廠縮減資本支出等形勢(shì)。不過(guò)數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)等需求仍然堅(jiān)挺。市場(chǎng)波動(dòng)...
存儲(chǔ)供應(yīng)商正在競(jìng)相為 3D NAND 添加更多層
西門(mén)子 EDA技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理 Ben Whitehead 表示:“處理器的摩爾定律在過(guò)去幾年中一直滯后,但對(duì)于 NAND 閃存來(lái)說(shuō)仍然存在并且很好 。” ...
PCIe 5.0進(jìn)入快車道 加速NAND的迭代升級(jí)
預(yù)計(jì)到2025年,國(guó)內(nèi)企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)規(guī)模將增至489億元,5年間復(fù)合增速約25%,而PCIe SSD市場(chǎng)份額比例將增至90%。
傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多20%;美光首發(fā)232層3D NAND,將于2022年末量產(chǎn)
傳三星預(yù)將芯片制造價(jià)格上調(diào)至多 20% ? 根據(jù)外媒的最新消息,三星正就將芯片制造價(jià)格提高20%進(jìn)行商議。值得注意的是,除了三星之外,臺(tái)積電此前也宣布,...
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