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      標簽　>　3D閃存

      3D閃存

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      3d閃存技術

      長江存儲232層閃存揭秘

      長江存儲232層閃存揭秘

      長江存儲1Tb TLC芯片的存儲密度已達15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無出其右者。

      2023-11-02 標簽：芯片閃存TLC 2470 0

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      3d閃存資訊

      鎧俠正式發布業界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存

      存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業界首款面向車載應用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品。

      2024-02-22 標簽：控制器存儲器UFS 954 0

      服務器支撐閃存芯片市場增長，上下游企業加速布局基礎設施、汽車新興領域

      ? 電子發燒友網報道（文/莫婷婷）近年來，由于消費級、工業級以及汽車等終端市場的需求變動，影響了閃存行業的供需變化。在技術上，閃存朝著更加先進的工藝迭代...

      2022-10-17 標簽：閃存服務器3D閃存 2703 0

      鎧俠推出162層3D閃存：產能增加70%、性能提升66%

      在幾大閃存原廠的主力從96層升級到128/144層之后，美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存，現在鎧俠、西數也加入這一陣營，推出了162層3D閃...

      2021-02-19 標簽：產能性能3D閃存 2386 0

      Kioxia和西部數據合作開發第六代162層3D閃存技術

      Kioxia（鎧俠）和西部數據宣布，雙方合作開發了第六代162層3D閃存技術。這是兩家企業建立20年合作關系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先...

      2021-02-20 標簽：CMOS西部數據3d nand 2319 0

      TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

      隨著3D閃存技術的發展，容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來越廣泛的應用，對于數據可靠性的要求也變得越來越復雜。

      2020-12-11 標簽：控制器NANDTDK 969 0

      解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

      這是因為，Xtacking架構將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離，從這一程度上講，利用Xtacking技術可以更容易地調整優化閃存陣列的工藝...

      2020-12-11 標簽：半導體NAND3D閃存 2044 0

      三星正在開發160堆棧3D閃存 將大幅改進制造工藝

      上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創造了三個世界第一。國產閃存突飛猛進，三星等公司也沒閑著，三星...

      2020-04-20 標簽：三星電子3D閃存 610 0

      三星正在研發160層及以上的3D閃存

      據了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧...

      2020-04-20 標簽：三星電子3D閃存 594 0

      閃存存儲的價格什么時候可能會下降

      因為3D閃存技術允許有更多的細胞堆疊在給定的表面積，這樣總容量將比實際可以使用的容量要大很多。

      2020-03-27 標簽：存儲3D閃存 678 0

      鎧俠開發新的3D半圓形閃存單元結構“Twin BiCS FLASH”

      鎧俠株式會社（Kioxia Corporation）近日宣布將使用專門設計的半圓形浮置柵極（FG）單元開發全球首個［1］三維（3D）半圓形分柵型閃存單元...

      2019-12-14 標簽：閃存3D閃存 1435 0

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