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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構，并填充了導電材料，它們在每個...
SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據產品的不同，膜層的層數也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數。
眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...
TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成T...
存儲芯片是半導體行業中非常重要的一類產品，我們日常所有的電子設備基本都會用到存儲器。據WSTS預測，2023年全球存儲芯片市場規模將達到1675億美元，...
這種存儲技術的成功與其不斷擴展密度和成本的能力有關——這是 NAND 閃存技術發展的主要驅動力。大約每兩年，NAND 閃存行業就會顯著提高位存儲密度，以...
3D 堆棧存儲器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的貢獻者，到 2028 年占總市場份額的 70% 以上。增長最快的四大 =平臺是 3D ...
3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...
電子發燒友網報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超1000層的3...
消息人士指出，NAND封裝短缺對供應鏈的全面影響可能需要兩到三個月的時間，屆時一些最好的2TB和4TB固態硬盤的價格將 "暴漲"。
主流存儲芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM 和 NAND Flash 等半導體存儲器的核心功能為數據存儲，存儲晶圓的設計及制造標準化程度較高...
英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。
3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應該能夠快速量產。
Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存
傳統上，控制邏輯和單元邏輯是在一個晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC)，而 WD 和 Kiox...
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）存儲產業在2022年經歷了市場行情下跌、價格下滑、原廠縮減資本支出等形勢。不過數據中心、汽車、工業等需求仍然堅挺。市場波動...
西門子 EDA技術產品經理 Ben Whitehead 表示：“處理器的摩爾定律在過去幾年中一直滯后，但對于 NAND 閃存來說仍然存在并且很好 。” ...
預計到2025年，國內企業級SSD市場規模將增至489億元，5年間復合增速約25%，而PCIe SSD市場份額比例將增至90%。
傳三星預將芯片制造價格上調至多20％；美光首發232層3D NAND，將于2022年末量產
傳三星預將芯片制造價格上調至多 20％ ? 根據外媒的最新消息，三星正就將芯片制造價格提高20%進行商議。值得注意的是，除了三星之外，臺積電此前也宣布，...
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