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標(biāo)簽 > 3d nand閃存
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數(shù)據(jù)量的增大導(dǎo)致主流3D NAND閃存已經(jīng)不夠用
隨著數(shù)據(jù)量的迅速增大,主流存儲技術(shù)也在迅速向前推進(jìn)中。3D NAND閃存從2014年的24層,到2016年的48層,到2017年的64層,再到2018年...
2019-09-26 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)存儲3D NAND閃存 728 0
美光開始量產(chǎn)1z nm工藝節(jié)點(diǎn)的DRAM內(nèi)存
美光科技(Micron)16日宣布進(jìn)一步推動DRAM產(chǎn)品的革新,其開始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y n...
3D NAND開發(fā)競爭加劇 “5bit/cell”技術(shù)也出現(xiàn)了
3D NAND閃存高密度技術(shù)正變得越來越激進(jìn)。3D NAND閃存密度和容量的提高主要通過增加垂直方向上堆疊的存儲器單元的數(shù)量來實(shí)現(xiàn)。通過這種三維堆疊技術(shù)...
PK三星閃存 紫光2019年將量產(chǎn)64層3D NAND閃存
國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁,把三星和蘋果的市場份額搶占不少,但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒...
芯聞早報(bào):明年國產(chǎn)閃存芯片將亮相 蘋果下周發(fā)布MacBook
今日芯聞早報(bào):2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存 32層堆棧;2035年無人駕駛汽車將占全球汽車銷量的四分之一;標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場供不應(yīng)求;S...
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