3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構，并填充了導電材料，它們在每個...

2024-03-20 標簽：刻蝕3d nand 1042 0

3D NAND的主要制作流程

SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據產品的不同，膜層的層數也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數。

2024-03-19 標簽：3d nand芯片制程 905 0

3D NAND層數“爭霸賽”，300層雖遲但到

眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...

2023-08-30 標簽：閃存數據傳輸固態硬盤 546 0

什么是硅或TSV通路？使用TSV的應用和優勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成T...

2023-07-25 標簽：存儲器TSV3d nand 741 0

存儲芯片是什么 存儲芯片的分類及發展歷史

存儲芯片是半導體行業中非常重要的一類產品，我們日常所有的電子設備基本都會用到存儲器。據WSTS預測，2023年全球存儲芯片市場規模將達到1675億美元，...

2023-07-07 標簽：fpgaasic存儲芯片 1.4萬 0

典型3D NAND閃存結構技術分析

這種存儲技術的成功與其不斷擴展密度和成本的能力有關——這是 NAND 閃存技術發展的主要驅動力。大約每兩年，NAND 閃存行業就會顯著提高位存儲密度，以...

2023-06-27 標簽：存儲器3d nand隨機存取存儲器 2076 0

高端性能封裝平臺的主要技術趨勢解析

3D 堆棧存儲器——HBM、3DS 和 3D NAND——是最大的貢獻者，到 2028 年占總市場份額的 70% 以上。增長最快的四大 =平臺是 3D ...

2023-06-16 標簽：存儲器封裝技術3d nand 649 0

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術

3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間...

2023-06-15 標簽：NAND存儲芯片蝕刻技術 2152 0

淺談蝕刻工藝開發的三個階段

納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標簽：晶體管蝕刻工藝3d nand 1686 0

高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖

探索未來三到五年生產可能面臨的挑戰，以經濟的成本為晶圓廠提供解決方案

2022-01-10 標簽：存儲器EUV3d nand 2761 0

pSLC帶來的“新”存儲容量 偽SLC如何兼顧耐用性和經濟性

（ 作者：Swissbit AG 存儲解決方案總經理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 閃存行業中，隨處可見存儲密度又達到新高的各種新...

2021-11-16 標簽：閃存NAND存儲 1.9萬 0

探討半導體制造原子層刻蝕與沉積工藝的自限性反應

原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。 泛林集團先進技術發展事業部公司副總裁潘陽博士 分享了他對這個話題的看法。 技術節點的每次進步都要求...

2021-02-08 標簽：半導體行業3d nand 7672 0

原子級工藝實現納米級圖形結構的要求

技術節點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點。半導體制造已經跨越了從納...

2020-06-02 標簽：制造工藝EUV3d nand 2384 0

一文讀懂3D NAND存儲器進化史

通過3D堆疊技術將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術進一步成熟。

2018-04-16 標簽：存儲器3D NAND 1.2萬 0