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      標(biāo)簽　>　3d nand

      3d nand

      +關(guān)注4人關(guān)注

      3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。

      文章：91個(gè) 瀏覽：29104次 帖子：2個(gè)

      3d nand技術(shù)

      基于64層3D NAND技術(shù)的企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤

      更輕松地向數(shù)據(jù)中心添加閃存，并憑借快速、一致的性能消除存儲(chǔ)瓶頸，降低總體擁有成本。

      2018-04-10 標(biāo)簽：美光科技固態(tài)硬盤3D NAND 6274 0

      64層第二代3D NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案

      幫助智能手機(jī)制造商通過(guò)人工智能 (AI)、虛擬現(xiàn)實(shí)和面部識(shí)別等新一代移動(dòng)功能來(lái)增強(qiáng)用戶體驗(yàn).

      2018-04-08 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器美光3d nand 9260 0

      3D NAND技術(shù)工藝發(fā)展與主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)探討

      本文為您講述ROM存儲(chǔ)介質(zhì)3D NAND技術(shù)工藝的發(fā)展，現(xiàn)階段主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，包括傳統(tǒng)eMMC，三星和蘋果提出的UFC標(biāo)準(zhǔn)和NVMe標(biāo)準(zhǔn)。

      2016-10-12 標(biāo)簽：內(nèi)存3D NAND 3376 1

      SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

      3D NAND的好處自然就是能夠比現(xiàn)在的閃存提供功能大的存儲(chǔ)空間，存儲(chǔ)密度可以達(dá)到現(xiàn)有閃存的三倍以上，未來(lái)甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來(lái)。

      2015-06-01 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)SSD3D NAND 2742 0

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