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      標(biāo)簽　>　3d nand

      3d nand

      +關(guān)注4人關(guān)注

      3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。

      文章：91個(gè) 瀏覽：29104次 帖子：2個(gè)

      3d nand技術(shù)

      什么是硅或TSV通路？使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢(shì)

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      2023-07-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器TSV3d nand 741 0

      高端性能封裝平臺(tái)的主要技術(shù)趨勢(shì)解析

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      2023-06-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器封裝技術(shù)3d nand 649 0

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      美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D ...

      2022-08-29 標(biāo)簽：NAND3d nand 595 0

      3D NAND層數(shù)“爭(zhēng)霸賽”，300層雖遲但到

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      眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤...

      2023-08-30 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)傳輸固態(tài)硬盤 546 0

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        　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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