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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。

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3d nand資訊

預(yù)期提前，鎧俠再次加速，3D NAND準備沖擊1000層

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，鎧俠再次宣布，將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊，而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...

2024-06-29 標簽：NAND 存儲器 3d nand 4441 0

NAND封裝短缺導(dǎo)致大容量SSD價格暴漲

消息人士指出，NAND封裝短缺對供應(yīng)鏈的全面影響可能需要兩到三個月的時間，屆時一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤的價格將 "暴漲"。

2024-01-19 標簽：NAND SSD 固態(tài)硬盤 413 0

簡單介紹全球前五大存儲廠商

主流存儲芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同，DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲，存儲晶圓的設(shè)計及制造標準化程度較高...

2023-11-21 標簽：DRAM 存儲器存儲芯片 4909 0

三星計劃全面提高DDR5產(chǎn)量，過去一個月上漲5-10%

英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預(yù)計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。

2023-11-10 標簽：芯片內(nèi)存條 RCD 523 0

如何看待3D DRAM技術(shù)？

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知，因此只要不使用任何新材料，使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。

2023-05-31 標簽：DRAM NAND 3d nand 586 0

Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存

傳統(tǒng)上，控制邏輯和單元邏輯是在一個晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC)，而 WD 和 Kiox...

2023-04-04 標簽：閃存 NAND 3d nand 1686 0

2023年存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)應(yīng)用展望

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）存儲產(chǎn)業(yè)在2022年經(jīng)歷了市場行情下跌、價格下滑、原廠縮減資本支出等形勢。不過數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)等需求仍然堅挺。市場波動...

2023-01-22 標簽：存儲 3d nand PCIe 5.0 3964 0

存儲供應(yīng)商正在競相為 3D NAND 添加更多層

西門子 EDA技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理 Ben Whitehead 表示：“處理器的摩爾定律在過去幾年中一直滯后，但對于 NAND 閃存來說仍然存在并且很好。” ...

2022-08-30 標簽：存儲器堆疊 3d nand 729 0

PCIe 5.0進入快車道加速NAND的迭代升級

預(yù)計到2025年，國內(nèi)企業(yè)級SSD市場規(guī)模將增至489億元，5年間復(fù)合增速約25%，而PCIe SSD市場份額比例將增至90%。

2022-08-08 標簽：SSD 3d nand PCIe5.0 1824 0

傳三星預(yù)將芯片制造價格上調(diào)至多20％；美光首發(fā)232層3D NAND，將于2022年末量產(chǎn)

傳三星預(yù)將芯片制造價格上調(diào)至多 20％ ? 根據(jù)外媒的最新消息，三星正就將芯片制造價格提高20%進行商議。值得注意的是，除了三星之外，臺積電此前也宣布，...

2022-05-15 標簽：三星電子芯片制造美光 1.2萬 0

中國閃存市場峰會CFMS2021圓滿落幕！產(chǎn)業(yè)鏈大咖精彩演講內(nèi)容揭曉

據(jù)閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù)，2021年全球存儲市場規(guī)模將超過1500億美元，增長26%，其中DRAM為910億美元，NAND Fla...

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2020-05-07 標簽：3d nand 群聯(lián)電子長江存儲 1290 0

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