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標(biāo)簽 > 3d nand
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間,但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實現(xiàn)3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產(chǎn)超1000層的3...
主流存儲芯片海外廠商高度壟斷。與邏輯芯片不同,DRAM 和 NAND Flash 等半導(dǎo)體存儲器的核心功能為數(shù)據(jù)存儲,存儲晶圓的設(shè)計及制造標(biāo)準(zhǔn)化程度較高...
三星計劃全面提高DDR5產(chǎn)量,過去一個月上漲5-10%
英特爾新一代消費(fèi)型筆電平臺 Meteor Lake 預(yù)計第四季度問世,搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。
3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存
傳統(tǒng)上,控制邏輯和單元邏輯是在一個晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC),而 WD 和 Kiox...
2023年存儲產(chǎn)業(yè)技術(shù)應(yīng)用展望
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)存儲產(chǎn)業(yè)在2022年經(jīng)歷了市場行情下跌、價格下滑、原廠縮減資本支出等形勢。不過數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)等需求仍然堅挺。市場波動...
存儲供應(yīng)商正在競相為 3D NAND 添加更多層
西門子 EDA技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理 Ben Whitehead 表示:“處理器的摩爾定律在過去幾年中一直滯后,但對于 NAND 閃存來說仍然存在并且很好 。” ...
PCIe 5.0進(jìn)入快車道 加速NAND的迭代升級
預(yù)計到2025年,國內(nèi)企業(yè)級SSD市場規(guī)模將增至489億元,5年間復(fù)合增速約25%,而PCIe SSD市場份額比例將增至90%。
傳三星預(yù)將芯片制造價格上調(diào)至多20%;美光首發(fā)232層3D NAND,將于2022年末量產(chǎn)
傳三星預(yù)將芯片制造價格上調(diào)至多 20% ? 根據(jù)外媒的最新消息,三星正就將芯片制造價格提高20%進(jìn)行商議。值得注意的是,除了三星之外,臺積電此前也宣布,...
中國閃存市場峰會CFMS2021圓滿落幕!產(chǎn)業(yè)鏈大咖精彩演講內(nèi)容揭曉
據(jù)閃存市場ChinaFlashMarket數(shù)據(jù),2021年全球存儲市場規(guī)模將超過1500億美元,增長26%,其中DRAM為910億美元,NAND Fla...
西部數(shù)據(jù)看好鎧俠存儲芯片生產(chǎn)規(guī)模 謀求長期合作構(gòu)建競爭優(yōu)勢
據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)首席執(zhí)行官戴維·戈克勒(David Goeckeler)表示,由于閃存市場持續(xù)增長,這家美國芯片制造商認(rèn)為日本的鎧俠公司是長期...
2021-05-06 標(biāo)簽:西部數(shù)據(jù)3D Nand鎧俠 2.6萬 0
泛林集團(tuán)推出革命性的新刻蝕技術(shù),推動下一代3D存儲器件的制造
泛林集團(tuán)Sense.i刻蝕平臺具有Equipment Intelligence?(設(shè)備智能)功能,可以從數(shù)百個傳感器收集數(shù)據(jù),監(jiān)測系統(tǒng)和工藝性能。
2021-01-28 標(biāo)簽:3d nand存儲器件泛林集團(tuán) 831 0
3D NAND閃存有多遠(yuǎn)?未來將如何發(fā)展?
隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT),智能工廠,自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序繼續(xù)受到關(guān)注,這些高要求的應(yīng)用程序?qū)?shù)據(jù)存儲的規(guī)定變得越來越具有挑戰(zhàn)性。
2021-01-15 標(biāo)簽:3D技術(shù)閃存驅(qū)動器工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) 1306 0
Kioxia和西部數(shù)據(jù)合作開發(fā)第六代162層3D閃存技術(shù)
Kioxia(鎧俠)和西部數(shù)據(jù)宣布,雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑,也是兩家公司迄今密度最高、最先...
2021-02-20 標(biāo)簽:CMOS西部數(shù)據(jù)3d nand 2319 0
KLA推出兩種全新的系統(tǒng)來解決半導(dǎo)體制造業(yè)中最棘手的問題
KLA全新的PWG5? 圖形晶圓幾何量測系統(tǒng)和Surfscan? SP7XP無圖案晶圓缺陷檢測系統(tǒng)支持先進(jìn)邏輯、DRAM和3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)。
? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,...
紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群執(zhí)行副總裁高啟全退休 坂本幸雄接收紫光DRAM布局
紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁高啟全在2020年9月30日正式退休,未來紫光集團(tuán)的DRAM事業(yè)布局將由前爾必達(dá)社長、現(xiàn)任紫光高級副總的坂本幸雄接手。
eSL10電子束檢測系統(tǒng)具有多項革命性技術(shù),能夠彌補(bǔ)對關(guān)鍵缺陷檢測能力的差距。
閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016年開始接洽合作,從最早期的32層 3D...
2020-05-07 標(biāo)簽:3d nand群聯(lián)電子長江存儲 1290 0
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