3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。

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3d nand資訊

Gartner：2016年全球半導(dǎo)體晶圓級(jí)制造設(shè)備年增11%

在3D NAND與尖端邏輯芯片制程設(shè)備支出成長推動(dòng)下，調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner表示，2016全年全球半導(dǎo)體晶圓級(jí)制造設(shè)備市場規(guī)模年增11.3%，達(dá)374....

2017-04-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 3D NAND 810 0

從華為P10閃存芯片事件，你看到了什么？

日前，網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)華為P10不同批次手機(jī)采用了不同規(guī)格的閃存芯片。網(wǎng)上對(duì)此眾說紛紜。華為官方也因此發(fā)表聲明，華為手機(jī)跟國內(nèi)外多家優(yōu)秀的閃存供應(yīng)商合作，同時(shí)為...

2017-04-21 標(biāo)簽：3d nand 華為p10 6020 0

慧榮科技FerriSSD 嵌入式引導(dǎo)加載應(yīng)用

相較而言，大眾市場 SSD 是專為成本敏感的消費(fèi)領(lǐng)域（消費(fèi)娛樂音頻/視頻應(yīng)用程序）而設(shè)計(jì)，可能允許一定的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。

2017-04-19 標(biāo)簽：SSD 3D NAND 慧榮科技 1531 0

蘋果閃存芯供應(yīng)商推出256Gb 3D NAND 或用于未來iPhone

據(jù)報(bào)道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48...

2017-04-12 標(biāo)簽：海力士蘋果 3d nand 1068 0

臺(tái)積電或競標(biāo)東芝股案藉此進(jìn)入3DNAND芯片代工

近日，東芝(Toshiba)出售NANDFlash事業(yè)群的競標(biāo)案炒得熱鬧，近期臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局也找臺(tái)灣多家存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者密談應(yīng)對(duì)之策，將再找晶圓代工業(yè)者...

2017-03-03 標(biāo)簽：東芝臺(tái)積電 3d nand 580 0

臺(tái)積電敲門東芝3D NAND代工擊破三星補(bǔ)貼政策

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，東芝（Toshiba）出售NAND Flash事業(yè)群的競標(biāo)案炒得熱鬧，近期臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部工業(yè)局也找臺(tái)灣多家存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者密談應(yīng)對(duì)之策，將再找...

2017-03-02 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電 3D NAND 676 0

3D NAND良率是NAND Flash市場最大變數(shù)

據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D N...

2017-02-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 NAND Flash 3D NAND 1474 0

長江存儲(chǔ)在3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

近日，由國家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。

2017-02-17 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 3D NAND 長江存儲(chǔ) 1652 0

中國在3D NAND存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D N...

2017-02-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 3D NAND 919 0

紫光集團(tuán)2600億投資南京半導(dǎo)體生產(chǎn)線

1月18日下午，新春佳節(jié)來臨之際，從南京傳來喜訊，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目簽約。據(jù)披露，此次投資達(dá)到2600億元，目前雙方已經(jīng)敲定了產(chǎn)線動(dòng)工日期。聯(lián)系...

2017-01-20 標(biāo)簽：DRAM 3D NAND 紫光 1909 0

SK海力士72層3D NAND內(nèi)存?zhèn)?017年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

SK 海力士最先進(jìn) 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，...

2016-12-27 標(biāo)簽：SK海力士 3D NAND 1398 0

中韓NAND Flash軍備競賽再起 2018年或供過于求

儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）軍備競賽再起，南韓存儲(chǔ)器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元（約27億美元），在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)器產(chǎn)能；...

2016-12-26 標(biāo)簽：NAND Flash 3D NAND 649 0

SK海力士砸27億美元擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限，供需失衡下，DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢(shì)翻轉(zhuǎn)，而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下，同樣...

2016-12-23 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 3D NAND 1087 0

2016半導(dǎo)體制造設(shè)備市場規(guī)模為396.9億美元

戴維斯表示，預(yù)計(jì)2016年全球半導(dǎo)體制造裝置市場規(guī)模為396.9億美元。同比增加8.7％。預(yù)計(jì)2017年將同比增加9.3％，達(dá)到434億美元。關(guān)于推動(dòng)市...

2016-12-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 3D NAND 2458 0

我國三大存儲(chǔ)力量漸成未來發(fā)展引人矚目

近日，東南大學(xué)網(wǎng)站的一則《北京兆易創(chuàng)新-合肥共建項(xiàng)目招聘簡章》受到行業(yè)內(nèi)關(guān)注，盡管事后兆易創(chuàng)新發(fā)布澄清說明，稱其與合肥長鑫及其相關(guān)方的合作項(xiàng)目目前僅處于...

2016-12-06 標(biāo)簽：NAND閃存 3D NAND 兆易創(chuàng)新 1680 0

大陸三星東芝紛紛增產(chǎn) 3D NAND競爭白熱化

傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產(chǎn)，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產(chǎn)能也將于明年下半全面開...

2016-10-10 標(biāo)簽：東芝三星電子 intel 1932 0

美光3D NAND低成本制程分析海力士/東芝能否趕上？

目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì)，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于，海力士（...

2016-09-12 標(biāo)簽：東芝存儲(chǔ)器海力士 1785 0

干貨！一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片...

2016-08-11 標(biāo)簽：東芝三星電子 Intel 4.3萬 0

打破主流存儲(chǔ)器空白長江存儲(chǔ)在武漢正式成立

武漢新芯將成為長江存儲(chǔ)的全資子公司。長江存儲(chǔ)將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并...

2016-08-02 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器清華紫光 3D NAND 1808 0

Intel大連工廠投產(chǎn)：造世界最先進(jìn)3D NAND！

經(jīng)過8個(gè)多月的努力，英特爾大連非易失性存儲(chǔ)（NVRAM）制造新項(xiàng)目7月初在大連實(shí)現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界...

2016-07-27 標(biāo)簽：英特爾 Intel 3D NAND 1099 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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