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標簽 > 3d nand
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種新興的閃存類型,通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快,但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限,容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間,但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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國內正在大力發展集成電路產業,近日北京的北設計、南制造的藍圖也更加清晰。半導體產業不景氣的背景下,3D Nand能成救世主?小米手環2已經發布,小米手表...
近日中國半導體業最引人關注的爆炸性新聞是武漢新芯計劃2018年量產48層3D NAND,及它的投資240億美元的計劃。
中國代工廠商XMC于上周在武漢正式著手興建一座新的晶圓工廠,旨在制造3D NAND閃存記憶體。整個建設計劃預計耗資240億美元,資金來源則包括集成電路產...
慧榮科技首推支持3D NAND的交鑰匙式企業版SATA 6Gb/s SSD控制器產品
在設計和推廣固態存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporat...
7月24日國外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
布局3D NAND技術 SanDisk與東芝合力擴建Fab 5
SanDisk于日前表示,正與東芝(Toshiba)合力擴建位于日本三重縣四日市的五號半導體制造工廠(Fab 5)第二期工程,并共同展開3D NAND記...
IM Flash 技術有限責任公司是英特爾與美光科技的合資公司,日前,該公司表示目前正在策劃如何及何時將3D技術用于NAND閃存ICs制造中。
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