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標(biāo)簽 > 3d內(nèi)存
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美光提出3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS”或成DDR4基石
美光科技今天表示,正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作,爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化,并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
SanDisk與東芝將聯(lián)合開(kāi)發(fā)可重復(fù)寫(xiě)入的3D內(nèi)存
閃存芯片廠商SanDisk在周二提交給美國(guó)證券交易委員會(huì)的一份文件中披露,它已經(jīng)與東芝展開(kāi)合作,聯(lián)合開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)可重復(fù)寫(xiě)入的3D內(nèi)存。
未來(lái)10年閃存將發(fā)展到盡頭 3D內(nèi)存接班
SanDisk認(rèn)為,未來(lái)10年閃存將發(fā)展到盡頭,3D內(nèi)存技術(shù)將成為閃存的接班人。 SanDisk上周表示,由于閃存具有局限性,它的發(fā)展未來(lái)將走到...
2008-07-30 標(biāo)簽:3D內(nèi)存 789 0
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