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標(biāo)簽 > 3D閃存
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3D閃存切換DDR 3.0技術(shù)數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2022-01-18 標(biāo)簽:DDR3D閃存 415 0
東芝TR200SSD240G性能測(cè)試 東芝的64層3DNANDSSD有多厲害
傳說(shuō)中的64層3D NAND的故事,延續(xù)了1年時(shí)間。這次巧合的機(jī)會(huì)體驗(yàn)到東芝TR200 SSD 240G。而且是東芝自主研發(fā)的3D閃存技術(shù)。是東芝首款6...
東芝存儲(chǔ)公司和西部數(shù)據(jù)公司共同慶祝位于日本四日市的 FAB 6工廠及內(nèi)存研發(fā)中心投入運(yùn)營(yíng)
2018年9月27日-北京,東芝存儲(chǔ)公司和西部數(shù)據(jù)公司(NASDAQ:WDC)日前盛大慶祝位于日本三重縣四日市的新建的半導(dǎo)體制造工廠 -Fab 6以及內(nèi)...
2018-09-30 標(biāo)簽:東芝半導(dǎo)體西部數(shù)據(jù) 5782 0
Intel第三代1TB 3D閃存 單Die將升級(jí)到512Gb
在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是,用上了 Host Memory Buffer (HMB)技術(shù),Intel的單Die升級(jí)到了512Gb,...
服務(wù)器支撐閃存芯片市場(chǎng)增長(zhǎng),上下游企業(yè)加速布局基礎(chǔ)設(shè)施、汽車新興領(lǐng)域
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近年來(lái),由于消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)以及汽車等終端市場(chǎng)的需求變動(dòng),影響了閃存行業(yè)的供需變化。在技術(shù)上,閃存朝著更加先進(jìn)的工藝迭代...
鎧俠推出162層3D閃存:產(chǎn)能增加70%、性能提升66%
在幾大閃存原廠的主力從96層升級(jí)到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng),推出了162層3D閃...
Kioxia和西部數(shù)據(jù)合作開(kāi)發(fā)第六代162層3D閃存技術(shù)
Kioxia(鎧俠)和西部數(shù)據(jù)宣布,雙方合作開(kāi)發(fā)了第六代162層3D閃存技術(shù)。這是兩家企業(yè)建立20年合作關(guān)系的又一里程碑,也是兩家公司迄今密度最高、最先...
2021-02-20 標(biāo)簽:CMOS西部數(shù)據(jù)3d nand 2319 0
這是因?yàn)?,Xtacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離,從這一程度上講,利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)高性能第三代閃存
紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-09-06 標(biāo)簽:長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存 1754 0
蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍,單個(gè) 256Gb NAND...
東芝64層堆疊FLASH 3D閃存出貨 普及TB級(jí)SSD
據(jù)外媒報(bào)道,東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存,采用64層堆疊,單晶粒容量512Gb(64GB,TLC),相對(duì)于上一代48層256Gb,...
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