臺(tái)積電資本支出沖上新高 蘋果、英特爾、超微大客戶紛紛下單

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近日，臺(tái)積電發(fā)布2020年第四季度報(bào)告，對(duì)于未來5年?duì)I運(yùn)超級(jí)樂觀，2021年資本支出更沖上250億~280億美元，臺(tái)積電表示8成將用在美...

2021-01-17 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電3nm 6878 0

臺(tái)積電擬砸150億美元研發(fā)3nm工藝

臺(tái)積電日前公布了2020年Q4季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收為3615.3億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)14.0%。凈利潤(rùn)為1427.7億元新臺(tái)幣，同比增長(zhǎng)23.0%。

2021-01-15 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電3nm 1269 0

消息稱蘋果 A17、英特爾包攬臺(tái)積電 3nm 產(chǎn)能

1月15日消息 據(jù)供應(yīng)鏈權(quán)威媒體 Digitimes 報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電所定于 2021 年支的 250 億~ 280 億美元中大部分（超過 ...

2021-01-15 標(biāo)簽：英特爾臺(tái)積電蘋果 1865 0

臺(tái)積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻

2020年，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商，均把芯片制程工藝提升至5nm，而且更先進(jìn)的3nm制程也在計(jì)劃中，不過，最近它們好像都遇到了一些麻煩。

2021-01-12 標(biāo)簽：芯片臺(tái)積電3nm 2390 0

新思科技攜手三星加快3nm節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的收斂和簽核

雙方合作包括多個(gè)簽核域和跨庫(kù)特征提取，以加速設(shè)計(jì)收斂 簽核解決方案的創(chuàng)新能夠解決從5納米到3納米的獨(dú)特挑戰(zhàn)，以確保簽核準(zhǔn)確性，并將運(yùn)行速度提高20倍、內(nèi)...

2021-01-11 標(biāo)簽：三星電子新思科技3nm 1779 0

麒麟9000迭代升級(jí)芯片將命名為麒麟9010

此前有消息稱，麒麟9000迭代升級(jí)芯片將命名為麒麟9010，基于3nm制造工藝設(shè)計(jì)，由于麒麟芯片目前的特殊處境，使得消息傳出后，引起了網(wǎng)友的熱議。

2021-01-06 標(biāo)簽：芯片3nm麒麟芯片 8257 0

臺(tái)積電研發(fā)3nm工藝遇阻

近日，外媒援引供應(yīng)鏈內(nèi)部消息稱，目前晶圓代工廠的兩大頭部企業(yè)臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均遭遇不同程度的挑戰(zhàn)，因此，最終3nm芯片的量產(chǎn)可能會(huì)相應(yīng)的推遲。

2021-01-05 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 2276 0

臺(tái)積電3nm工藝遭遇挑戰(zhàn),仍有足夠時(shí)間在2022年開始量產(chǎn)

1月5日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在此前的報(bào)道中，英文媒體援引產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息報(bào)道稱，臺(tái)積電和三星的3nm工藝研發(fā)均遭遇關(guān)鍵瓶頸，研發(fā)進(jìn)度也不得不推遲。

2021-01-05 標(biāo)簽：芯片三星電子臺(tái)積電 609 0

臺(tái)積電計(jì)劃今年3nm工藝將完成試生產(chǎn)

外媒報(bào)道，臺(tái)積電和三星在3nm工藝技術(shù)的開發(fā)中遇到了不同卻關(guān)鍵的瓶頸。 因此，臺(tái)積電和三星將不得不推遲3nm工藝技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度。

2021-01-05 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 1881 0

臺(tái)積電今年的資本支出超過200億美元

1月4日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從公布的月度營(yíng)收來看，芯片代工商臺(tái)積電去年的營(yíng)收將創(chuàng)下新高，而在芯片代工市場(chǎng)需求龐大、先進(jìn)工藝投產(chǎn)及研發(fā)的推動(dòng)下，他們的資...

2021-01-05 標(biāo)簽：臺(tái)積電5nm3nm 1461 0

臺(tái)積電將砸超200億美元全力推進(jìn)3nm

對(duì)于芯片代工龍頭，臺(tái)積電正在加大自己的研發(fā)費(fèi)用，從而獲得更領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)。

2021-01-04 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體臺(tái)積電 1436 0

臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)遇瓶頸，量產(chǎn)時(shí)間恐將推遲

據(jù) Digitimes 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開發(fā)過程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱，臺(tái)積...

2021-01-04 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 2471 0

ASML完成第100臺(tái)EUV光刻機(jī)出貨：2021年產(chǎn)能將大增

2021-01-04 標(biāo)簽：5nmASML3nm 4030 0

臺(tái)積電和三星3nm制程遭遇挑戰(zhàn),研發(fā)進(jìn)度推遲

1月3日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商的制程工藝，均已提升到了5nm，更先進(jìn)的3nm也在按計(jì)劃推進(jìn)中，臺(tái)積電3nm工藝的芯片生產(chǎn)工廠...

2021-01-04 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電3nm 2303 0

臺(tái)積電3nm工藝將實(shí)現(xiàn)15％性能提升

2020年，市面上出現(xiàn)了大量5nm工藝的芯片，諸如蘋果A14仿生、麒麟9000以及驍龍888等旗艦芯片均采用5nm工藝。而根據(jù)最新的報(bào)道顯示，在批量生產(chǎn)...

2020-12-21 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶體管3nm 1964 0

臺(tái)積電正在按計(jì)劃推進(jìn)的3nm工藝

12月18日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，在5nm工藝今年一季度大規(guī)模量產(chǎn)、為蘋果等客戶代工相關(guān)的芯片之后，臺(tái)積電下一步的重點(diǎn)就將是更先進(jìn)的3nm工藝，這一工藝...

2020-12-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電蘋果3nm 1395 0

復(fù)旦教授成功實(shí)現(xiàn)3nm/5nmGAA晶體管

來自復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院的消息，該校周鵬團(tuán)隊(duì)針對(duì)具有重大需求的3-5納米節(jié)點(diǎn)晶體管技術(shù)，驗(yàn)證了雙層溝道厚度分別為0.6 /1.2納米的圍柵多橋溝道晶體管（...

2020-12-17 標(biāo)簽：晶體管3nmGAA 1898 0