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EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明,是一種斷電后仍能保留數據的計算機儲存芯片——即非易失性的(非揮發性)。它是一組浮柵晶體管,被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。
EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明,是一種斷電后仍能保留數據的計算機儲存芯片——即非易失性的(非揮發性)。它是一組浮柵晶體管,被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后,EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口,很容易識別EPROM,這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對準陽光直射一段時間就可以擦除。
EPROM由以色列工程師Dov Frohman發明,是一種斷電后仍能保留數據的計算機儲存芯片——即非易失性的(非揮發性)。它是一組浮柵晶體管,被一個提供比電子電路中常用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后,EPROM只能用強紫外線照射來擦除。通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口,很容易識別EPROM,這個窗口同時用來進行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對準陽光直射一段時間就可以擦除。
EPROM是可編程器件,主流產品是采用雙層柵(二層poly)結構,主要結構如圖一所示。
浮柵中沒有電子注入時,在控制柵加電壓時,浮柵中的電子跑到上層,下層出現空穴。
由于感應,便會吸引電子,并開啟溝道。
如果浮柵中有電子的注入時,即加大的管子的閾值電壓,
溝道處于關閉狀態。這樣就達成了開關功能。
如圖二所示,這是EPROM的寫入過程,在漏極加高壓,電子從源極流向漏極溝道充分開啟。在高壓的作用下,電子的拉力加強,能量使電子的溫度極度上升,變為熱電子(hot electrON)。這種電子幾乎不受原子的振動作用引起的散射,在受控制柵的施加的高壓時,熱電子使能躍過SiO2的勢壘,注入到浮柵中。
在沒有別的外力的情況下,電子會很好的保持著。在需要消去電子時,利用紫外線進行照射,給電子足夠的能量,逃逸出浮柵。
EEPROM的寫入過程,是利用了隧道效應,即能量小于能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊。
量子力學認為物理尺寸與電子自由程相當時,電子將呈現波動性,這里就是表明物體要足夠的小。
就pn結來看,當p和n的雜質濃度達到一定水平時,并且空間電荷極少時,電子就會因隧道效應向導帶遷移。
電子的能量處于某個級別允許級別的范圍稱為“帶”,較低的能帶稱為價帶,較高的能帶稱為導帶。
電子到達較高的導帶時就可以在原子間自由的運動,這種運動就是電流。
EEPROM寫入過程,如圖3所示,根據隧道效應,包圍浮柵的SiO2,必須極薄以降低勢壘。
源漏極接地,處于導通狀態。在控制柵上施加高于閾值電壓的高壓,以減少電場作用,吸引電子穿越。
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