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F-RAM

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　　F-RAM芯片包含一個鋯鈦酸鉛［Pb（Zr，Ti）O3］的薄鐵電薄膜，通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性，從而產生一個二進制開關。與RAM器件不同，F-RAM在電源被關閉或中斷時，由于PZT晶體保持極性能保留其數據記憶。這種獨特的性質讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。

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FM25V02A-GTR型號存儲器的產品介紹

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F-RAM簡介

　　鐵電隨機存儲器（F-RAM），相對于其它類型的半導體技術而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態隨機存取存儲器（SRAM）和動態隨機存取存儲器（DRAM）以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用，高性能，但它們有著共同的弱點：在掉電的情況下會失去所保存的數據。

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f-ram知識

FM25V02A-GTR型號存儲器的產品介紹

　　FM25V02A-GTR型號元器件是一款鐵電存儲器，采用先進的鐵電工藝，可提供可靠的數據保留功能，可以保持151年，

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Ramtron國際公司F-RAM存儲器詳解

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什么是V系列并口256Kb F-RAM器件？

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f-ram資料下載

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類別：汽車電子 2017-05-23 標簽：汽車電子 f-ram ecu

賽普拉斯F-RAM的車載信息娛樂立即下載

類別：汽車電子 2017-05-22 標簽：車載信息 f-ram

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類別：存儲器技術 2010-08-09 標簽：F-RAM

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