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標(biāo)簽 > GaN
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#參考設(shè)計(jì)#用于工業(yè)應(yīng)用的60W雙輸出反激式電源(使用InnoMux2-EP(1700V PowiGaN))
60 W反激式轉(zhuǎn)換器,具有兩個(gè)獨(dú)立調(diào)節(jié)的CV輸出,使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP(IMX2353F-H415),用于具有高...
GaN可靠性測(cè)試新突破:廣電計(jì)量推出高壓性能評(píng)估方案
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵(Gallium Nitride,簡(jiǎn)稱GaN)作為最新一代的半導(dǎo)體材料,近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 140 0
GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。 安森美(onse...
納芯微提供全場(chǎng)景GaN驅(qū)動(dòng)IC解決方案
作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù),GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等市場(chǎng)都有著廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。和傳統(tǒng)的Si器件相比,GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的...
2024-11-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)ICGaN 215 0
YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時(shí)間,從而降低了死區(qū)...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...
BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用
保護(hù)USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響,都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止,設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFE...
在汽車和工業(yè)應(yīng)用中使用UCC14131EVM-070對(duì)GaN和柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行偏置立即下載
類別:電子資料 2024-11-09 標(biāo)簽:GaNEVM柵極驅(qū)動(dòng)器 33 0
汽車650V GaN功率級(jí)頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能立即下載
類別:電子資料 2024-09-24 標(biāo)簽:qfnGaN熱設(shè)計(jì) 91 0
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...
2024-11-27 標(biāo)簽:氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 117 0
一文看懂2025年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)展望
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)目前正在經(jīng)歷庫存調(diào)整,幾乎涵蓋了從消費(fèi)到汽車再到工業(yè)等所有垂直市場(chǎng)。然而,在數(shù)據(jù)中心人工智能 (AI) 等應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體正大放異彩,同...
SiC和GaN器件的兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特性,使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用,特別是在DC/DC轉(zhuǎn)...
2024-11-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 349 0
智能時(shí)代,人們對(duì)電源的需求充溢著生活的方方面面。隨著人工智能和生成式AI的發(fā)展,小到幾十瓦的PD充電頭,大到數(shù)百瓦、上千瓦的工業(yè)電源及服務(wù)器電源,在全球...
現(xiàn)在的充電器與幾年前的充電器相比,體積上大幅縮減,而充電速度卻實(shí)現(xiàn)了十幾倍的飛躍式提升。這其中究竟隱藏著怎樣的奧秘呢?
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關(guān)IC,這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場(chǎng)? 近日,Power Integrations(以...
2024-11-15 標(biāo)簽:氮化鎵GaN開關(guān)IC 232 0
Diodes 超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案
Diodes公司推出了一款高效140WUSBType-C充電解決方案,采用獲得專利的ACF拓?fù)洌瑵M足DOEVI和COCTier2效率要求。該方案支持PD...
納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...
2024-11-08 標(biāo)簽:電源GaN功率半導(dǎo)體 343 0
Navitas發(fā)布2024財(cái)年Q3財(cái)報(bào):營收微降,但技術(shù)與市場(chǎng)布局加速
近日,Navitas半導(dǎo)體公司發(fā)布了其截至2024年9月30日的第三季度未經(jīng)審計(jì)的財(cái)務(wù)業(yè)績報(bào)告。盡管總營收微降至2170萬美元,相比2023年第三季度的...
2024-11-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 410 0
德州儀器日本會(huì)津工廠投產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體
近日,德州儀器(TI)宣布了一個(gè)重要的里程碑事件:其基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)...
2024-10-30 標(biāo)簽:德州儀器GaN功率半導(dǎo)體 385 0
型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
---|---|---|---|
GS61008P-MR | 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價(jià)格
|
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