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標(biāo)簽 > GaN

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gan技術(shù)

#參考設(shè)計(jì)#用于工業(yè)應(yīng)用的60W雙輸出反激式電源(使用InnoMux2-EP(1700V PowiGaN))

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60 W反激式轉(zhuǎn)換器,具有兩個(gè)獨(dú)立調(diào)節(jié)的CV輸出,使用基于1700 V PowiGaN的InnoMux2-EP(IMX2353F-H415),用于具有高...

2024-11-19 標(biāo)簽:反激式電源GaN工業(yè)電源 817 0

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氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...

2024-11-28 標(biāo)簽:SiCGaN可靠性測(cè)試 70 0

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2024-11-15 標(biāo)簽:安森美功率器件GaN 136 0

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作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù),GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等市場(chǎng)都有著廣闊的應(yīng)用場(chǎng)景。和傳統(tǒng)的Si器件相比,GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的...

2024-11-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)ICGaN 215 0

芯干線100W氮化鎵電源適配器拆解

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芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器,深受功放市場(chǎng)青睞,認(rèn)可度極高。

2024-11-08 標(biāo)簽:電源電源適配器氮化鎵 313 0

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YLBPD快充芯片U8722BAS可減少非必要能效損耗GaN技術(shù)的零反向恢復(fù)特性(因?yàn)椴淮嬖隗w二極管)導(dǎo)致二極管反向偏置電流沒有穩(wěn)定時(shí)間,從而降低了死區(qū)...

2024-11-01 標(biāo)簽:二極管GaN快充芯片 141 0

氮化鎵快充芯片U8765的主要特性

相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...

2024-10-30 標(biāo)簽:氮化鎵GaN快充芯片 173 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試

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2024-10-24 標(biāo)簽:MOSFET電源管理GaN 203 0

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類別:電子資料 2024-09-12 標(biāo)簽:GaN 94 0

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gan資訊

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第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

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Diodes 超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案

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唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...

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gan數(shù)據(jù)手冊(cè)

型號(hào) 描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) 參考價(jià)格
GS61008P-MR 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM

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振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
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