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英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術, 推動行業變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵(GaN...
今日看點丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飛凌推出全球首創12英寸GaN晶圓技術
1. 英飛凌推出全球首創12 英寸GaN 晶圓技術 ? 英飛凌日前表示,公司已能夠在12英寸(300mm)晶圓上生產GaN芯片,該技術為世界首創,希望滿...
聚焦綠色能源四大細分市場,英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會
在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產品組合,其中多款應用于可再生能源、電動交通、智能家居...
CoolGaN和增強型GaN(通常指的是增強型高電子遷移率晶體管,即e-mode HEMT)在概念上有所重疊,但具體來說,它們之間的區別主要體現在以下幾...
#參考設計#(900 V PowiGaN 開關)的 60 W 隔離反激式適配器
使用 InnoSwitch3-EP(900 V PowiGaN 開關)的 60 W 隔離反激式適配器 *附件:DER-982 60W 12V5A 90-...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應用 | 氮化硼高導熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝,WBG設備顯示出以下優點:1.寬帶隙半導體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
三菱電機發布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM
三菱電機集團近日宣布,開始為5G massive MIMO*1(mMIMO)基站提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品。P...
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1. 英飛凌推出全球首創12 英寸GaN 晶圓技術 ? 英飛凌日前表示,公司已能夠在12英寸(300mm)晶圓上生產GaN芯片,該技術為世界首創,希望滿...
英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術, 推動行業變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發出全球首項300 mm氮化鎵(GaN...
日本半導體材料巨頭信越化學近日宣布了一項重大技術突破,成功研發并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(即12英寸)晶圓,標志著公司在高性能半...
聚焦綠色能源四大細分市場,英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會
在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產品組合,其中多款應用于可再生能源、電動交通、智能家居...
8月28日至30日,全球領先的半導體解決方案提供商英飛凌,在深圳盛大亮相“2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)”,以“數...
電子發燒友網報道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...
型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
---|---|---|---|
GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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