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標簽 > GaN器件
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當前軍事與航天領域是氮化鎵技術最大的市場。最早就是在美國國防部的推動下,開始了氮化鎵技術的研究,慢慢地就行成了現在GaN器件的市場。據統計,軍事和航天領...
SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構,帶來了諸多優勢:首先,“絕緣埋層”實現了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離,減小了寄生電容,開關頻率得以提高。
不同種類的 GaN 可能具有不同的柵極驅動要求,這可能是使用 GaN 組件進行設計時面臨的最大挑戰之一。
Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”
全球知名半導體制造商ROHM Co,Ltd(以下簡稱“羅姆”)的650V GaN器件(EcoGaN),被臺達電子(Delta Electronics,I...
Tagore Tech和Inventchip聯合開發一款500W電源參考設計解決方案
Tagore Technology 與 Inventchip Technology(上海瞻芯電子科技有限公司,簡稱:瞻芯電子)共同參加業界知名的2024...
NexGen垂直GaN半導體 預計2023年第三季度全面生產
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發布的700V 和 1200V樣品。
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業領導者納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術的智能GaNFast功率芯片已升級以...
第三代半導體指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)和金剛石為代表的化合物半導體,該類半導體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV,因此也被稱...
SRII重磅亮相CICD 2021,以先進ALD技術賦能第三代半導體產業
思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實現了量產化的解決方案,也在持續挖掘ALD技術之于傳統硅基,SiC,GaN器件的創新應用潛力。
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