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標簽 > HEMT
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GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領域展現出了顯著的優勢,但同時也存在一些缺...
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-09-04 標簽:晶體管氮化鎵HEMT 120 0
QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-31 標簽:GaNHEMT 81 0
類別:IC datasheet pdf 2022-03-31 標簽:場效應管HEMT 849 0
電子發燒友網報道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...
利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲
利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲
CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態系統
擁有系統和應用、研究和設備方面的專業知識,可生產創新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數據中心電源產品 ? 英國劍橋 - Cambridge GaN...
CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會),推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...
CGD 與高品質服務領航者 DigiKey 達成全球分銷協議
為建立 GaN 生態系統造福全球工程師邁出重要一步 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環??萍及雽w公...
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...
Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs,在同類產品中擁有出色的穩健性、易用性和高效率
英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環??萍及雽w公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造...
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