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HEMT

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hemt技術

GaN HEMT有哪些優缺點

GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領域展現出了顯著的優勢,但同時也存在一些缺...

2024-08-15 標簽:GaN功率半導體HEMT 929 0

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在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數,即短路耐受時間 (SCWT)。

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2024-04-18 標簽:氮化鎵GaNHEMT 1115 0

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報告內容包含: 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結構的生長 GaN HEMT 技術面臨的挑戰

2023-12-14 標簽:微波GaNHEMT 375 0

氮化鎵器件介紹與仿真

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本推文簡述氮化鎵器件,主要包括GaN HEMT和二極管,幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。

2023-11-27 標簽:二極管仿真氮化鎵 3195 0

深入了解 GaN 技術

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2023-12-06 標簽:柵極氮化鎵GaN 6059 0

GaN HEMT器件結構解析

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2023-11-09 標簽:集成電路氮化鎵功率半導體 1449 0

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應

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GaN HEMT工藝全流程

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GaN HEMT(高電子遷移率晶體管:High Electron Mobility Transistor)是新一代功率半導體,具有低工作電阻和高抗損性,...

2023-05-25 標簽:半導體晶體管GaN 2637 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進展

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近期,美國南卡羅來納大學報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導體異質結場效應晶...

2023-05-25 標簽:半導體充電器晶體管 1004 0

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GaN HEMT正加速成為儲能市場主流

電子發燒友網報道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...

2024-08-27 標簽:GaN儲能HEMT 3821 0

使用GaN HEMT設備最大化OBCs的功率密度

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隨著電動汽車(EVs)的銷售量增長,整車OBC(車載充電器)的性能要求日益提高。原始設備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續航里程。因此...

2023-12-17 標簽:電動汽車GaNHEMT 998 0

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

2023-12-07 標簽:晶體管GaNHEMT 854 0

利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲

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2023-12-07 標簽:無線通信晶體管HEMT 906 0

CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態系統

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擁有系統和應用、研究和設備方面的專業知識,可生產創新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數據中心電源產品 ? 英國劍橋 - Cambridge GaN...

2023-11-06 標簽:smpsGaNHEMT 668 0

AlGaN/GaN結構的氧基數字蝕刻

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寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應晶體管(fet)能夠提供比傳統Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關GaN非常需要HEM...

2023-10-10 標簽:蝕刻GaNHEMT 713 0

CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會),推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列

誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是...

2023-08-09 標簽:氮化鎵HEMT 402 0

CGD 與高品質服務領航者 DigiKey 達成全球分銷協議

為建立 GaN 生態系統造福全球工程師邁出重要一步 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環??萍及雽w公...

2023-06-30 標簽:氮化鎵CGDHEMT 652 0

ROHM具有業界高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-18 標簽:GaNHEMTRohm 731 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs,在同類產品中擁有出色的穩健性、易用性和高效率

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs,在同類產品中擁有出色的穩健性、易用性和高效率

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環??萍及雽w公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造...

2023-05-15 標簽:MOSFETGaNHEMT 1081 0

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