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      標簽　>　HKMG

      HKMG

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      hkmg技術

      半導體行業之刻蝕工藝介紹

      金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發性極低且會停留在晶圓表面。

      2023-04-10 標簽：半導體晶圓HKMG 3983 0

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      hkmg資訊

      a6芯片處理器參數及性能介紹

      蘋果A6處理器是蘋果公司于2012年9月12日發布的最新移動處理器。蘋果下一代移動產品將會全部采用A6處理器，其中iPhone5已經率先采用了最新的A6...

      2021-08-10 標簽：armHKMGA6處理器 9053 0

      移動芯片的另一個比拼：各家工藝制程分析

      在移動通信芯片領域，高通是第一家量產了28nm制程的移動芯片廠商，2013年是28nm制程的普及年，除了聯芯和展訊還在使用40nm制程外，其余各家移動通...

      2014-02-25 標簽：HKMG移動芯片 8077 0

      為什么英特爾那么牛？制程工藝引業界驚嘆！

      為了讓大家一窺 Intel在半導體制造工藝上的牛逼，筆者選取數月前參加Intel新品交流會后，印象深刻的45nm以下HKMG的成型工藝來做探討。

      2013-11-19 標簽：英特爾HKMG晶圓制造 2.5萬 2

      沖刺28nm市占　格羅方德拉攏大陸芯片廠商

      格羅方德可望以28納米制程在中國大陸芯片市場打下一片天。對此，格羅方德透過先期研發合作及保證產能供應等策略，積極拉攏中國大陸芯片商，并已成功搶下瑞芯微等客戶。

      2013-06-24 標簽：IC設計HKMG28nm 1347 1

      專訪格羅方德Subramani Kengeri：28nm量產致勝關鍵在于HKMG

      本文主要講述了28nm量產致勝關鍵在于HKMG。HKMG：high-k絕緣層+金屬柵極。HKMG的優勢：不管使用Gate-first和Gate-last...

      2012-07-15 標簽：SoCHKMGFinFET 4840 0

      IMEC發布后柵極HKMG制式細節，英特爾、三星受益

      IMEC發布后柵極HKMG制式細節，英特爾、三星受益

      電子發燒友網訊：納米電子研究中心IMEC （Leuven， Belgium） 正評估用未來新型三極管替代金屬柵極（RMG）技術和當前高K金屬柵極 （HK...

      2012-06-14 標簽：集成電路IMECHKMG 1568 0

      HKMG實現工藝的兩大流派及其詳解

      HKMG實現工藝的兩大流派及其詳解 隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術幾乎已經成為45nm以下級別制程的必備技

      2010-03-23 標簽：工藝HKMG 7842 0

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