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ISSI是全球領先的存儲器和模擬混合信號半導體廠商;ISSI是為以下主要市場設計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者: 汽車,通信,數(shù)字消費,以及 工業(yè)和醫(yī)療。
4月12日,2023春季新品發(fā)布會上,漢王推出一款基于圖像識別技術的電子槍PK Gun。 這是繼2019年推出仿生撲翼飛
低功耗SRAM存儲器應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品,作為靜態(tài)隨機訪問存儲器的一種類別,靜態(tài)隨機訪問存儲器(SRA
STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強型系列,工作頻率為72MHz,內置高速存儲器(高達512K字節(jié)的
EMI502NF08VM-10C國產SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND
偉凌創(chuàng)芯國產SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態(tài)隨機存取SRAM芯片,使用(8
日前,北京君正發(fā)布2021年半年度業(yè)績預告,報告顯示,公司上半年歸屬上市公司凈利潤約3.13億元到4.03億元,同比增長
ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM
美國ISSI公司是為汽車和通信,數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設計開發(fā)高性能集成電路的技術領導者。主要產品是高速低功耗
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態(tài)SRAM,以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術制造。
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,組織為2M
ISSI生產的32Mb高速低功耗異步SRAM,這種創(chuàng)新的設計加強了ISSI對具有最高質量和性能的SRAM的長期承諾。32
ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL
美國ISSI主要產品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車,通信,數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產
ISSI 是為以下主要市場設計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術領導者: 汽車,通信,數(shù)字消費,以及 工業(yè)和醫(yī)療。我們的主要產品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。該公司還設計和銷售 NOR 閃存產品以及高性能模擬和混合信號集成電路。我們以高性價比、高質量的半導體產品瞄準高增長市場,并尋求與客戶建立長期關系。我們一直是內存產品的長期供應商,包括低密度和小批量產品,即使在制造能力緊張的時期也是如此。
我們的外包制造模式基于與亞洲和國內主要代工廠的聯(lián)合技術開發(fā)關系的歷史。我們還對選定的代工廠進行戰(zhàn)略性股權收購。我們通過在中國、韓國和臺灣增加設計團隊來擴大我們在重要的亞洲市場的影響力,我們現(xiàn)在在這些地方雇傭了 80 多名設計、產品和測試工程師。這些設計團隊補充了我們位于加利福尼亞州圣何塞總部的核心工程和產品管理團隊。
近年來,對精密半導體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到汽車、通信、數(shù)字消費、工業(yè)和醫(yī)療市場。這些產品需要增加內存內容以幫助處理大量數(shù)據(jù)。
4月12日,2023春季新品發(fā)布會上,漢王推出一款基于圖像識別技術的電子槍PK Gun。 這是繼2019年推出仿生撲翼飛行器之后,漢王科技在AI大娛樂領...
EMI502NF08VM-10C國產SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND
偉凌創(chuàng)芯國產SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態(tài)隨機存取SRAM芯片,使用(8)條公共輸入和輸出線,并具有一個...
低功耗SRAM存儲器應用于內有電池供電對功耗非常敏感的產品,作為靜態(tài)隨機訪問存儲器的一種類別,靜態(tài)隨機訪問存儲器(SRAM)作為最重要的半導體存儲器,廣...
日前,北京君正發(fā)布2021年半年度業(yè)績預告,報告顯示,公司上半年歸屬上市公司凈利潤約3.13億元到4.03億元,同比增長2631.64%到3412.62...
ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM
美國ISSI公司是為汽車和通信,數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設計開發(fā)高性能集成電路的技術領導者。主要產品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年...
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態(tài)SRAM,以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設...
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的...
近年來,對精密半導體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車,通信和數(shù)字消費,工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產品需要增加內存容量,以幫助處理大量數(shù)據(jù)。ISSI為...
ISSI生產的32Mb高速低功耗異步SRAM,這種創(chuàng)新的設計加強了ISSI對具有最高質量和性能的SRAM的長期承諾。32MbSRAM在汽車A3溫度范圍(...
ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL
美國ISSI主要產品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車,通信,數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產品。IS62WV102416DB...
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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IS31BL3555-ZLS4 | IC LED DVR BOOST 2CH 16TSSOP |
獲取價格
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IS31BL3555-ZLS4-TR | IC LED DVR BOOST 2CH 16TSSOP |
獲取價格
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IS25WP016-JBLE | IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOP |
獲取價格
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IS25WP016-JNLE | IC FLASH 16M SPI 133MHZ 8SOP |
獲取價格
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IS62WV25616ALL-70BI | IC MEMORY ASYNC MBGA |
獲取價格
|
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