L82C37A

L82C37A簡介

　　L82C37A采用2.0μm硅柵CMOS全離子注入工藝制造。襯底材料為N型硅，晶向?yàn)椤?00〉，電阻率為6～9Ω.cm。

　　L82C37A主要功能有以下七點(diǎn)：

　　（1）該電路有四個(gè)獨(dú)立DMA通道；

　　（2）每個(gè)通道的DMA請求都可分別允許和禁止；

　　（3）每個(gè)通道的DMA請求優(yōu)先權(quán)具有固定方式和循環(huán)方式；

　　（4）每個(gè)通道一次傳送的最大長度64k字節(jié)的數(shù)據(jù)，可在存儲(chǔ)器與外設(shè)間進(jìn)行傳送，也可在存儲(chǔ)器的兩個(gè)區(qū)間進(jìn)行傳送；

　　（5）有四種DMA傳輸方式：①單字節(jié)傳輸方式；②數(shù)據(jù)塊傳輸方式；③請求傳輸方式；④ 級(jí)連方式。在每種方式下，都能在接收外設(shè)的請求信號(hào)DREQ后，向外設(shè)發(fā)送響應(yīng)信號(hào)DACK后就可以占用總線，進(jìn)行DMA傳送。每傳送一個(gè)字節(jié)，修改一次地址指針，當(dāng)規(guī)定傳送的字節(jié)數(shù)送完時(shí)，發(fā)出終端計(jì)數(shù)脈沖TC，結(jié)束傳送或重新初始化；

　　（6）允許外設(shè)用EOP信號(hào)結(jié)束DMA傳送或重新初始化；

　　（7）L82C37A可以級(jí)聯(lián)，任意擴(kuò)展通道數(shù)。