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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應管。
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應管。
系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC器件開關的影響分析
*本論文摘要由PCIM官方授權發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開關開通時的過流機理,以及開通...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是兩種常見的功率半導體器件,它們在許多應用中都有廣泛的應用。 工作原理 IGB...
MOS(金屬氧化物半導體)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件,具有許多重要特性,如高輸入阻抗、低功耗、易于集成等。MOS的開啟電壓(Vth)是其工作...
在現(xiàn)代電子技術中,晶體管是實現(xiàn)信號放大、開關控制等功能的關鍵元件。隨著集成電路技術的發(fā)展,晶體管的尺寸不斷縮小,性能不斷提升。3MOS和4MOS作為兩種...
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,保護板是一種重要的組件,它能夠保護電池在過充、過放、過流、短路等情況下不受損害。保護板通常由一些電子元件組成,如MOSFET...
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件,其導電狀態(tài)主要受柵極電壓的控制。它具有許多優(yōu)點,如高輸入阻抗、低功耗...
其利天下技術·如何讓MOS管快速開啟和關閉?·BLDC驅(qū)動方案開發(fā)
關于MOS管驅(qū)動電路設計,本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關閉。一般認為MOSFET(MOS管)是電壓驅(qū)動的,不需要驅(qū)動電流。然而,在MOS管的G極和...
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬氧化物半導體)是一種廣泛應用于電子器件的半導體材料,其開啟電壓(Threshold Vo...
mos驅(qū)動芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因
MOS驅(qū)動芯片,也稱為MOSFET驅(qū)動芯片,是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的集成電路。 MOSFET簡介 MOSFET是一種...
Toshiba東芝TPH4R50ANH1 MOSFETs硅N溝道MOS規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-09-02 標簽:MOSFETMOSN溝道
Toshiba東芝場效應晶體管硅N溝道MOS型英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-08-21 標簽:MOS場效應晶體管
新品來襲 | 500V-800V 平面柵VDMOS,自有封裝優(yōu)勢,雪崩耐量高, EMI兼容性好, 抗沖擊能力強!
平面柵VDMOS詳細介紹平面柵VDMOS(VerticalDouble-DiffusedMetal-Oxide-Semiconductor)是一種特殊類...
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列
新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術的發(fā)展,在全球范圍內(nèi)樹立了技...
5G通信基站的能效先鋒 |仁懋MOSFET在通信基站電源領域的應用
在移動通信基站電源領域,仁懋電子以其卓越的高壓SJCOOLMOS和中低壓TrenchMOS產(chǎn)品技術,為市場提供了高效能、低損耗的解決方案。隨著5G技術的...
愛普生S1X8H000和S1K8H000系列單芯片DMOS-ASIC1
精工愛普生株式會社(TSE:6724,“愛普生”)目前正在銷售單芯片DMOS-ASIC1產(chǎn)品為特定應用集成IP核2,并在DMOS(雙擴散MOSFET)上...
內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機BLDC驅(qū)動芯片方案
深圳市永阜康科技有限公司致力于內(nèi)置MOS+預驅(qū)+算法、全集成三相直流無刷電機驅(qū)動芯片的推廣,全系列產(chǎn)品系列外圍僅需幾個阻容
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場效應晶體管是一種金屬氧化物硅場效應晶體管,工作電壓最高達到1kV(SiC:2kV),具有高開關速度和最佳效率。 這項創(chuàng)新技術在消費電...
?英飛凌600 V CoolMOS? 8 新一代硅基MOSFET技術助力電力電子行業(yè)變革
該技術將對數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。在日新月異的電力電子行業(yè),對更高效、更強大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對于新一代硅基MOS...
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